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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

蔡厚智 刘进元 牛丽红 廖华 周军兰

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.
引用本文: 蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.
cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate

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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-15

微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

摘要: 对微通道板的动态特性进行了数值模拟,得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线。获得了光电子的倍增次数随入射时刻而变化,并在考虑了入射电子为一高斯电子脉冲的情况下,分析了选通脉冲的幅度、宽度和波形对选通特性的影响。结果表明:随着倍增次数增多,渡越时间越大;当电压幅度不同时,增益曲线的峰值所对应的电子入射时刻也不同。

English Abstract

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.
引用本文: 蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.
cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

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