微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 廖华, 周军兰

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蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.

引用本文:

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.

cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

Citation:

cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

1.
光电子器件与系统教育部、广东省重点实验室, 深圳大学, 深圳 51 8060

Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate

1.
Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China

摘要: 对微通道板的动态特性进行了数值模拟，得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线。获得了光电子的倍增次数随入射时刻而变化，并在考虑了入射电子为一高斯电子脉冲的情况下，分析了选通脉冲的幅度、宽度和波形对选通特性的影响。结果表明：随着倍增次数增多，渡越时间越大；当电压幅度不同时，增益曲线的峰值所对应的电子入射时刻也不同。
- 微通道板 /
- 渡越时间 /
- 入射时刻 /
- 曝光时间 /
- 分幅相机 /
- 惯性约束聚变
Abstract: The dynamic characteristics of micro-channel plate are simulated. The transit time and gain curves are obtained in the simulation. The simulation shows that the numbers of the electron collision on the channel wall of the microchannel plates(MCP) are related to the arriving time of the incident photoelectrons and the more frequently electrons collide with the channel, the longer transit time they need. The influence of the amplitude, width and shape of the driving voltage pulse on the exposure time and the gain of MCP are also studied when the incident electrons have a Gaussian distribution. It is concluded that the time of the peak value of the gain curve varies with different voltage pulse amplitude.
- microchannel plate /
- transit time /
- exposure time /
- framing camera /
- inertial confinement fusion /

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[2]	徐伟, 王涛, 何智兵, 吴章文. 化学气相沉积-氧化烧结法制备惯性约束聚变靶用空心玻璃微球 . 强激光与粒子束, 2015, 27(06): 062008-. doi: 10.11884/HPLPB201527.062008
[3]	李晋, 杨志文, 杨品, 杨正华, 董建军, 李三伟, 刘慎业, 江少恩, 曹柱荣. 神光-Ⅲ主机X光双通道单分幅成像系统研制 . 强激光与粒子束, 2014, 26(10): 102001-. doi: 10.11884/HPLPB201426.102001
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[5]	彭晓世, 王峰, 徐涛, 刘慎业, 魏惠月, 黄天晅, 刘永刚, 陈铭, 梅雨. 高时间分辨的聚变反应峰值时刻测量 . 强激光与粒子束, 2013, 25(05): 1152-1156. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1152
[6]	穆宝忠, 吴雯靓, 伊圣振, 王新, 蒋励, 朱京涛, 王占山, 方智恒, 王伟, 傅思祖. 4.75 keV能点四通道Kirkpatrick-Baez显微镜 . 强激光与粒子束, 2013, 25(04): 903-907.
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[10]	杨志文, 陈韬, 袁铮, 刘慎业, 肖沙里. 基于解析法的X光分幅相机静态增益特性仿真 . 强激光与粒子束, 2011, 23(08): 0- .
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[14]	袁铮, 刘慎业, 曹柱荣, 肖沙里, 黎航, 张海鹰, 王丽伟. 门控分幅相机增益衰减特性 . 强激光与粒子束, 2009, 21(05): 0- .
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[17]	曹柱荣, 丁永坤, 张海鹰, 白晓红, 刘百玉, 白永林. X射线分幅相机真空弧放电损害研究 . 强激光与粒子束, 2007, 19(02): 0- .
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[19]	王勐, 丁伯南, 谢卫平. 多层长渡越时间轴向绝缘堆的闪络概率分析 . 强激光与粒子束, 2004, 16(07): 0- .
[20]	邱孟通, 吕敏, 王奎禄, 黑东炜, 邱爱慈, 曾正中, 杜继业, 蒯斌, 袁媛, 田慧, 孙凤荣, 罗建辉. Z-pinch X射线时间分辨多幅图像诊断系统 . 强激光与粒子束, 2003, 15(01): 0- .

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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

1. 光电子器件与系统教育部、广东省重点实验室, 深圳大学, 深圳 51 8060

刊出日期: 2009-10-15

关键词:

惯性约束聚变

摘要: 对微通道板的动态特性进行了数值模拟，得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线。获得了光电子的倍增次数随入射时刻而变化，并在考虑了入射电子为一高斯电子脉冲的情况下，分析了选通脉冲的幅度、宽度和波形对选通特性的影响。结果表明：随着倍增次数增多，渡越时间越大；当电压幅度不同时，增益曲线的峰值所对应的电子入射时刻也不同。

English Abstract

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.

引用本文:

蔡厚智, 刘进元, 牛丽红, 等. 微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21.

cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

Citation:

cai houzhi, liu jinyuan, niu lihong, et al. Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

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