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基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究

李蕾 温殿忠 李刚 赵晓锋

李蕾, 温殿忠, 李刚, 等. 基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
引用本文: 李蕾, 温殿忠, 李刚, 等. 基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
Li Lei, Wen Dianzhong, Li Gang, et al. Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
Citation: Li Lei, Wen Dianzhong, Li Gang, et al. Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134

基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究

doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
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    通讯作者:

    温殿忠

Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-18
  • 修回日期:  2014-10-06
  • 刊出日期:  2015-01-27

基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究

doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
    通讯作者: 温殿忠

摘要: 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98 nm,沟道长宽比为10 m/40 m。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现-Si:H TFT的制作。在给出一般-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5 m范围内,漏压由6 V增加到30 V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5 m范围内的压降导致负阻特性产生。

English Abstract

李蕾, 温殿忠, 李刚, 等. 基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
引用本文: 李蕾, 温殿忠, 李刚, 等. 基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
Li Lei, Wen Dianzhong, Li Gang, et al. Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134
Citation: Li Lei, Wen Dianzhong, Li Gang, et al. Focused fabrication and characteristics of α-Si:H TFTs based on silicon-on-insulator materials[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024134. doi: 10.11884/HPLPB201527.024134

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