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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

张永平 陈之战 石旺舟 章林文 刘毅 谌怡

张永平, 陈之战, 石旺舟, 等. 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 055003. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
引用本文: 张永平, 陈之战, 石旺舟, 等. 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 055003. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
Zhang Yongping, Chen Zhizhan, Shi Wangzhou, et al. Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 055003. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
Citation: Zhang Yongping, Chen Zhizhan, Shi Wangzhou, et al. Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 055003. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
详细信息
    通讯作者:

    陈之战

Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches

  • 摘要: 采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532 nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7 mJ增加到43.9 mJ时,光导开关的导通电阻从295 降低到197 。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-11-30
  • 修回日期:  2015-02-10
  • 刊出日期:  2015-04-24

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