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半导体断路开关数值模拟

何锋 苏建仓 李永东 刘纯亮 孙鉴

何锋, 苏建仓, 李永东, 刘纯亮, 孙鉴. 半导体断路开关数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17.
引用本文: 何锋, 苏建仓, 李永东, 刘纯亮, 孙鉴. 半导体断路开关数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17.
he feng, su jian-cang, li yong-dong, liu chun-liang, sun jian. Numerical simulation of semiconductor opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: he feng, su jian-cang, li yong-dong, liu chun-liang, sun jian. Numerical simulation of semiconductor opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

半导体断路开关数值模拟

Numerical simulation of semiconductor opening switch

  • 摘要: 为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究。通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应。计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-12-15

半导体断路开关数值模拟

  • 1. 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 71 0049;
  • 2. 西北核技术研究所, 陕西 西安 71 0024

摘要: 为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究。通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应。计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区。

English Abstract

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