1999年 11卷 第04期
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1999, 11.
摘要:
综述了有关激光尾场加速器、等离子体拍频波加速器、多束激光脉冲驱动的尾场加速器以及自调制激光尾场加速器的概念及其基本特性,概述了近期的实验结果。介绍了等离子体波的产生机理及等离子体波中电子的俘获和加速,并讨论了存在于激光等离子体加速器中的一些限制和今后发展前景。
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1999, 11.
摘要:
以毛细管放电泵浦产生的C等离子体中,复合机制产生类H-C离子3d5/2-2p3/2跃迁激光线为例,研究毛细管放电复合X光激光中的物理机制。提出在C气中掺入适量的惰气来抑制等离子体被压得过细以至密度过高;在设计实验方案时 ,应该使等离子体在电流峰值之后进入膨胀冷却阶段;还要适当降低毛细管中等离子体初始 密度以增大毛细管半径,使工艺上更容易实现。
以毛细管放电泵浦产生的C等离子体中,复合机制产生类H-C离子3d5/2-2p3/2跃迁激光线为例,研究毛细管放电复合X光激光中的物理机制。提出在C气中掺入适量的惰气来抑制等离子体被压得过细以至密度过高;在设计实验方案时 ,应该使等离子体在电流峰值之后进入膨胀冷却阶段;还要适当降低毛细管中等离子体初始 密度以增大毛细管半径,使工艺上更容易实现。
1999, 11.
摘要:
若驱动激光的相干时间小于不稳定性增长时间,则有可能直接控制参量不稳定性。研究了有限带宽的啁啾展宽脉冲对等离子体冕区参量不稳定性及超热电子的抑制效果,给出解析分析及用PIC程序数值模拟结果,考察了电子-离子碰撞对超热电子的影响。
若驱动激光的相干时间小于不稳定性增长时间,则有可能直接控制参量不稳定性。研究了有限带宽的啁啾展宽脉冲对等离子体冕区参量不稳定性及超热电子的抑制效果,给出解析分析及用PIC程序数值模拟结果,考察了电子-离子碰撞对超热电子的影响。
1999, 11.
摘要:
以小信号条件下入射相位为φ0的单个电子在驻波电场中的运动为基础,研究了电子束在三腔谐振腔π模驻波场中的渡越时间效应,导出了三腔谐振腔的电子负载电导的表达式,讨论了三腔谐振腔中束波能量交换情况。
以小信号条件下入射相位为φ0的单个电子在驻波电场中的运动为基础,研究了电子束在三腔谐振腔π模驻波场中的渡越时间效应,导出了三腔谐振腔的电子负载电导的表达式,讨论了三腔谐振腔中束波能量交换情况。
1999, 11.
摘要:
对平顶高斯光束有关的一些重要概念,例如场分布和束宽等作了物理分析。进一步将二维平顶高斯光束推广到三维情况,并且对三维平顶高斯光束的对称化变换,包括在X和Y方向束宽相等和z平面处曲率半径相等,进行了详细的研究。
对平顶高斯光束有关的一些重要概念,例如场分布和束宽等作了物理分析。进一步将二维平顶高斯光束推广到三维情况,并且对三维平顶高斯光束的对称化变换,包括在X和Y方向束宽相等和z平面处曲率半径相等,进行了详细的研究。
1999, 11.
摘要:
利用旋转主平面的方法实现Ⅰ类匹配BBO晶体的三倍频,理论上计算了三倍频输出光强和旋转角度的关系。实现了准连续钛宝石744nm激光三倍频输出,得到光束质量好的248nm激光,可以作为准分子主振荡放大器的种子源。
利用旋转主平面的方法实现Ⅰ类匹配BBO晶体的三倍频,理论上计算了三倍频输出光强和旋转角度的关系。实现了准连续钛宝石744nm激光三倍频输出,得到光束质量好的248nm激光,可以作为准分子主振荡放大器的种子源。
1999, 11.
摘要:
分别用二阶和三阶微扰理论计算了193nm、355nm激光照射下石英玻璃中导带电子的单光子吸收速率和双光子吸收速率。结果表明,电子空穴散射参与的单光子吸收和声学声子参与的双光子吸收都是材料中导带电子吸收激光能量的重要过程。
分别用二阶和三阶微扰理论计算了193nm、355nm激光照射下石英玻璃中导带电子的单光子吸收速率和双光子吸收速率。结果表明,电子空穴散射参与的单光子吸收和声学声子参与的双光子吸收都是材料中导带电子吸收激光能量的重要过程。
1999, 11.
摘要:
通过对等离子体发生器建立三维模型,计算得到磁场在该装置中的分布情况。所得结果与实际测量基本一致 ,从而说明所建模型的合理性。通过调节一些参数,对该模型进一步搞清了导致等离子体发生器中真实磁场较实验设计要求偏低的主要原因,并提出了相应的改进方案。
通过对等离子体发生器建立三维模型,计算得到磁场在该装置中的分布情况。所得结果与实际测量基本一致 ,从而说明所建模型的合理性。通过调节一些参数,对该模型进一步搞清了导致等离子体发生器中真实磁场较实验设计要求偏低的主要原因,并提出了相应的改进方案。
1999, 11.
摘要:
分析了粒子的横向运动对环形质谱仪的分辨本领及测量精度的影响,给出了计算这些影响的方法。
分析了粒子的横向运动对环形质谱仪的分辨本领及测量精度的影响,给出了计算这些影响的方法。
1999, 11.
摘要:
研究HfO2/SiO2高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀HfO2、反应离子辅助蒸镀HfO2、反应离子辅助蒸镀金属Hf的源材料形成HfO2薄膜。采用这三种工艺制备了HfO2/SiO2高反射膜,在中心波长1064nm处,反射率 R≥99.5%,其中反应蒸镀HfO2/SiO2高反射膜损伤阈值最高,可达60J/cm2(1064nm,5ns)。
研究HfO2/SiO2高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀HfO2、反应离子辅助蒸镀HfO2、反应离子辅助蒸镀金属Hf的源材料形成HfO2薄膜。采用这三种工艺制备了HfO2/SiO2高反射膜,在中心波长1064nm处,反射率 R≥99.5%,其中反应蒸镀HfO2/SiO2高反射膜损伤阈值最高,可达60J/cm2(1064nm,5ns)。
1999, 11.
摘要:
产生X光激光的等离子体环境对X光多层膜反射镜造成损伤与破坏。通过模拟实验,给出国产Mo/Si多层膜反射镜的破坏阈值大约是0.10J/cm2,在这个辐照剂量下,多层膜表面均方粗糙度明显增加,反射率几乎降至为零。提出了防止多层膜反射镜破坏的一些想法。
产生X光激光的等离子体环境对X光多层膜反射镜造成损伤与破坏。通过模拟实验,给出国产Mo/Si多层膜反射镜的破坏阈值大约是0.10J/cm2,在这个辐照剂量下,多层膜表面均方粗糙度明显增加,反射率几乎降至为零。提出了防止多层膜反射镜破坏的一些想法。
1999, 11.
摘要:
对类Ni稀土X光激光波段衰减膜进行了设计,并根据设计结果,利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的Ag衰减膜和聚苯乙烯(C8H8)衰减膜。利用真空α能谱测厚仪和α-step100台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量,用Auger电子能谱(A ES)对Ag衰减膜进行了表面杂质分析。
对类Ni稀土X光激光波段衰减膜进行了设计,并根据设计结果,利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的Ag衰减膜和聚苯乙烯(C8H8)衰减膜。利用真空α能谱测厚仪和α-step100台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量,用Auger电子能谱(A ES)对Ag衰减膜进行了表面杂质分析。
1999, 11.
摘要:
采用爬山法和模拟退火法相结合的混合优化算法,设计得到了二元光学器件的良好位相结构;基于高斯分布随机信号模型,分析了二元光学器件对输入波面位相畸变的宽容度。首次针对波长λ=1.053μm研制了φ10mm的连续位相二元光学器件,并通过多级衰减片及CCD实现了焦斑光强分布测量,结果表明得到了边缘陡峭、旁瓣小、中心主瓣具有一定均匀性、且没有中心零级锐脉冲的焦斑光强分布。
采用爬山法和模拟退火法相结合的混合优化算法,设计得到了二元光学器件的良好位相结构;基于高斯分布随机信号模型,分析了二元光学器件对输入波面位相畸变的宽容度。首次针对波长λ=1.053μm研制了φ10mm的连续位相二元光学器件,并通过多级衰减片及CCD实现了焦斑光强分布测量,结果表明得到了边缘陡峭、旁瓣小、中心主瓣具有一定均匀性、且没有中心零级锐脉冲的焦斑光强分布。
1999, 11.
摘要:
介绍了利用气体击穿获取窄脉冲微波的理论基础、实验方法及实验结果。利用气体击穿获取窄脉冲微波是提高微 波效应源性能的一种较为有效的辅助手段,其费效比较低,能够较好地为当前的高功率微波 效应实验服务。
介绍了利用气体击穿获取窄脉冲微波的理论基础、实验方法及实验结果。利用气体击穿获取窄脉冲微波是提高微 波效应源性能的一种较为有效的辅助手段,其费效比较低,能够较好地为当前的高功率微波 效应实验服务。
1999, 11.
摘要:
基于多组态准相对论自洽场方法和扭曲波方法,理论研究了类铍金和 铅离子三类双电子复合过程,计算了这些离子在电子温度0.6~10.0keV范围内的双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。
基于多组态准相对论自洽场方法和扭曲波方法,理论研究了类铍金和 铅离子三类双电子复合过程,计算了这些离子在电子温度0.6~10.0keV范围内的双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。
1999, 11.
摘要:
为创造腔内均匀、干净的辐射场,用解析方法研究了腔内填充低Z介质的方法防止腔壁重元素喷射到腔内的设计思想。简化模型给出的物理图象清楚显示,该方法是一种好的设计思想。给出了在腔内填充0.1、1和10个大气压的氦气和各种温度状态下,腔壁内界面的运动速度。
为创造腔内均匀、干净的辐射场,用解析方法研究了腔内填充低Z介质的方法防止腔壁重元素喷射到腔内的设计思想。简化模型给出的物理图象清楚显示,该方法是一种好的设计思想。给出了在腔内填充0.1、1和10个大气压的氦气和各种温度状态下,腔壁内界面的运动速度。
1999, 11.
摘要:
首次用二维多面体扫描镜测量了超音速氧碘化学激光器的二维增益分布,测得增益区沿气流方向较长,沿光腔高度方向靠近壁面的两侧存在明显的边界层效应,并且边界层的厚度随着远离喷管出口平面距离的增大而增加。
首次用二维多面体扫描镜测量了超音速氧碘化学激光器的二维增益分布,测得增益区沿气流方向较长,沿光腔高度方向靠近壁面的两侧存在明显的边界层效应,并且边界层的厚度随着远离喷管出口平面距离的增大而增加。
1999, 11.
摘要:
微脉冲中电子束能量、电流的跳跃会影响电子束的质量, 从而也影响激光的增益。在CAEP FIR FEL 理论设计模型参数的基础上,利用一维定态程序对电子束能量跳跃对增益的影响进行了数值研究,并与非定态程序计算结果进行比较,给出可容许的能量跳跃范围。
微脉冲中电子束能量、电流的跳跃会影响电子束的质量, 从而也影响激光的增益。在CAEP FIR FEL 理论设计模型参数的基础上,利用一维定态程序对电子束能量跳跃对增益的影响进行了数值研究,并与非定态程序计算结果进行比较,给出可容许的能量跳跃范围。
1999, 11.
摘要:
利用Prony[1]方法计算均匀相位输出耦合镜非稳腔的输出模场分布及远场方向性,分析了模式分辨率和光束远场发散角与系统各参数之间的关系, 理论计算得到的结果表明,可以在小放大倍率(M=1.3)情况下得到质量达到衍射极限的输出光束,与传统非稳腔比较,这种新型的谐振腔在改善氧碘化学激光器光束质量方面有一定的应用前景。
利用Prony[1]方法计算均匀相位输出耦合镜非稳腔的输出模场分布及远场方向性,分析了模式分辨率和光束远场发散角与系统各参数之间的关系, 理论计算得到的结果表明,可以在小放大倍率(M=1.3)情况下得到质量达到衍射极限的输出光束,与传统非稳腔比较,这种新型的谐振腔在改善氧碘化学激光器光束质量方面有一定的应用前景。
1999, 11.
摘要:
提出采用光栅覆盖耦合孔以改善孔耦合腔品质的办法。CAEP自由电子激光器的三维数值模拟结果表明,该方法可以有效地减少腔的输出损失和衍射损失。此外,改进后的耦合孔还可用作电子束通道以使装置更紧凑。
提出采用光栅覆盖耦合孔以改善孔耦合腔品质的办法。CAEP自由电子激光器的三维数值模拟结果表明,该方法可以有效地减少腔的输出损失和衍射损失。此外,改进后的耦合孔还可用作电子束通道以使装置更紧凑。
1999, 11.
摘要:
提出了一种测试任意复杂截面波导截止波长的新方法。该方法利用波导及谐振腔的有关理论,把任意复杂截面波导的截止频率测试问题转化为对波导谐振腔的测试,因而不但在测试中回避了匹配和过渡等难题,而且达到较高精度,非常适合于微波工程设计使用。还提出了对波导衰减以及模式场分布的测试方法。
提出了一种测试任意复杂截面波导截止波长的新方法。该方法利用波导及谐振腔的有关理论,把任意复杂截面波导的截止频率测试问题转化为对波导谐振腔的测试,因而不但在测试中回避了匹配和过渡等难题,而且达到较高精度,非常适合于微波工程设计使用。还提出了对波导衰减以及模式场分布的测试方法。
1999, 11.
摘要:
研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点(分别 以GaAs或AlG aAs为基体)光学特性的影响。表明:量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。
研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点(分别 以GaAs或AlG aAs为基体)光学特性的影响。表明:量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。
1999, 11.
摘要:
用Monte-Carlo方法模拟球对称客体系统的闪光照相中X光光子的输运过程。分别在单客体情况和全系统情况下,给出了记录平面上各种光子谱及其在记录平面上的空间分布。结果表明:记录区边缘的谱形与源光子谱形很相似;深穿透区各点之间的谱形差别不大,谱平均光子能量近似相同,并且位于使高Z材料的光子线吸收系数最小的能量范围内。 结果还表明,高能闪光照相的光子能谱会因客体中光子的光程不同而有较大的差别。
用Monte-Carlo方法模拟球对称客体系统的闪光照相中X光光子的输运过程。分别在单客体情况和全系统情况下,给出了记录平面上各种光子谱及其在记录平面上的空间分布。结果表明:记录区边缘的谱形与源光子谱形很相似;深穿透区各点之间的谱形差别不大,谱平均光子能量近似相同,并且位于使高Z材料的光子线吸收系数最小的能量范围内。 结果还表明,高能闪光照相的光子能谱会因客体中光子的光程不同而有较大的差别。
1999, 11.
摘要:
同步器采用单稳态延时电路、脉冲陡化电路和抗干扰技术,解决了微秒级脉冲磁场与纳秒级主机的同步问题,同步延时在100 μs范围内可调。
同步器采用单稳态延时电路、脉冲陡化电路和抗干扰技术,解决了微秒级脉冲磁场与纳秒级主机的同步问题,同步延时在100 μs范围内可调。
1999, 11.
摘要:
利用时域有限差分方法(FD-TD Method)研究了快上升前沿电磁脉冲(FREMP)对目标腔体的孔腔共振效应。研究表明:由于FREMP的高频分量丰富,使得FREMP更容易通过目标腔体上的孔缝,与目标腔体发生孔腔共振。由于孔缝的对外辐射,振荡幅度将逐渐减弱。
利用时域有限差分方法(FD-TD Method)研究了快上升前沿电磁脉冲(FREMP)对目标腔体的孔腔共振效应。研究表明:由于FREMP的高频分量丰富,使得FREMP更容易通过目标腔体上的孔缝,与目标腔体发生孔腔共振。由于孔缝的对外辐射,振荡幅度将逐渐减弱。
1999, 11.
摘要:
定量给出了液滴法制备玻璃微球壳(HGM)的直径与壁厚之间的依存关系,确定了制备大直径薄壁HGM的液滴炉温度分布、抽气速率、溶液浓度和液滴发生器操作参数等工艺条件,制备出直径为300~450μm、壁厚为0.7~1.2μm、尺度比为300~700的HGM,表面粗糙度优于10nm,球形度和同心度均优于97%,耐外压能力大于0.91MPa,耐内压能力至少大于0.43MPa。
定量给出了液滴法制备玻璃微球壳(HGM)的直径与壁厚之间的依存关系,确定了制备大直径薄壁HGM的液滴炉温度分布、抽气速率、溶液浓度和液滴发生器操作参数等工艺条件,制备出直径为300~450μm、壁厚为0.7~1.2μm、尺度比为300~700的HGM,表面粗糙度优于10nm,球形度和同心度均优于97%,耐外压能力大于0.91MPa,耐内压能力至少大于0.43MPa。
1999, 11.
摘要:
介绍了一种由Tesla变压器和同轴脉冲形成线组成的高功率、高重复频率的脉冲发生器,其特点是结构紧凑,容易实现小型化。简述了该发生器的结构,论述了基本原理和特性,分析了应用前景。
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1999, 11.
摘要:
利用600kV铁芯充电脉冲变压器和压缩开关,作为初级脉冲功率系统和亚纳秒单开关技术,产生了峰值功率1.6GW、脉冲全底宽5.5ns的单周期脉冲,可在高于20Hz重复 频率下稳定运行。设计了同轴双锥天线,辐射功率大于500MW。初步掌握了产生和辐射高峰值功率超宽带脉冲的绝缘和能量损耗,特别是50Ω超宽带负载设计等技术难题。
利用600kV铁芯充电脉冲变压器和压缩开关,作为初级脉冲功率系统和亚纳秒单开关技术,产生了峰值功率1.6GW、脉冲全底宽5.5ns的单周期脉冲,可在高于20Hz重复 频率下稳定运行。设计了同轴双锥天线,辐射功率大于500MW。初步掌握了产生和辐射高峰值功率超宽带脉冲的绝缘和能量损耗,特别是50Ω超宽带负载设计等技术难题。