2001年 13卷 第05期
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2001, 13.
摘要:
根据空心玻璃微球(HGM)耐内、外压能力与玻璃强度及形状因子的关系,用压力负荷分步增加的方法分别实验测量了直径为350μm~550μm、壁厚<1.1μm的3种配方HGM的耐内、外压能力及HGM玻璃的杨氏模量和拉伸强度,并由强度测定值给出了不同直径与壁厚HGM的耐内、外压能力的计算式,分析了测量误差,提出了改进方案。
根据空心玻璃微球(HGM)耐内、外压能力与玻璃强度及形状因子的关系,用压力负荷分步增加的方法分别实验测量了直径为350μm~550μm、壁厚<1.1μm的3种配方HGM的耐内、外压能力及HGM玻璃的杨氏模量和拉伸强度,并由强度测定值给出了不同直径与壁厚HGM的耐内、外压能力的计算式,分析了测量误差,提出了改进方案。
2001, 13.
摘要:
在聚-4-甲基-1-戊烯(pmp)低密度泡沫的制备中,利用示差扫描量热(DSC)分析仪对pmp聚合物在均四甲苯/萘所组成的溶剂/非溶剂二元体系中的凝胶化过程进行在线测量。测定了它的凝胶化范围以及凝胶化温度与冷却速率和pmp在溶剂/非溶剂体系中所占比例的关系。利用热重-示差扫描量热(TG-DSC)系统对所制备的低密度pmp泡沫的热性能进行了分析,得到了泡沫密度变化对热稳定性等的影响。
在聚-4-甲基-1-戊烯(pmp)低密度泡沫的制备中,利用示差扫描量热(DSC)分析仪对pmp聚合物在均四甲苯/萘所组成的溶剂/非溶剂二元体系中的凝胶化过程进行在线测量。测定了它的凝胶化范围以及凝胶化温度与冷却速率和pmp在溶剂/非溶剂体系中所占比例的关系。利用热重-示差扫描量热(TG-DSC)系统对所制备的低密度pmp泡沫的热性能进行了分析,得到了泡沫密度变化对热稳定性等的影响。
2001, 13.
摘要:
介绍了测定聚变中子产额铜活化法的原理 、γ-γ符合计数系统、软件结构和功能、标定等。γ-γ符合计数系统中,辐照样品的计数指令发出后,计数、存储、数据处理到输出最终测量报告,全部由计算机进行控制,提高了数据的可靠性和工作效率。
介绍了测定聚变中子产额铜活化法的原理 、γ-γ符合计数系统、软件结构和功能、标定等。γ-γ符合计数系统中,辐照样品的计数指令发出后,计数、存储、数据处理到输出最终测量报告,全部由计算机进行控制,提高了数据的可靠性和工作效率。
2001, 13.
摘要:
论述了Z箍缩(Z-pinch)靶的发展与现状,阐述了Z-pinch靶及负载在结构和材料上的特点及其制备方法,比较了Z-pinch靶与激光聚变靶的区别,针对国内目前开展z-pinch实验对靶的需求,拟采用电解抛光法制备负载用超细金属丝,并提出了Z-pinch单层丝阵负载的制备流程。
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2001, 13.
摘要:
利用自行研制的2.5维全电磁柱坐标粒子模拟程序对高密度等离子体融断开关融断区域中的融蚀现象进行了模拟研究,详细地介绍了计算模型的建立以及复杂边界的算法处理。模拟结果表明在融断开关导通电流的最后阶段,由于磁压力、磁场渗透作用和非中性静电融蚀作用,在融断区域的阴极附近会形成一定宽度的真空鞘层。由于等离子体密度的下降以及初始真空鞘层的存在,使得即使只有较小的离子电流,融蚀机制也完全可以导致PEOS最终断开。
利用自行研制的2.5维全电磁柱坐标粒子模拟程序对高密度等离子体融断开关融断区域中的融蚀现象进行了模拟研究,详细地介绍了计算模型的建立以及复杂边界的算法处理。模拟结果表明在融断开关导通电流的最后阶段,由于磁压力、磁场渗透作用和非中性静电融蚀作用,在融断区域的阴极附近会形成一定宽度的真空鞘层。由于等离子体密度的下降以及初始真空鞘层的存在,使得即使只有较小的离子电流,融蚀机制也完全可以导致PEOS最终断开。
2001, 13.
摘要:
介绍了一个基于标准总线VXI的四路门控积分器模块插件。在四路独立的纳秒门控积分电路的基础上,采用VXI寄存器基接口实现对各路门控积分器的数据采集和控制,采用Labwindows/CVI编写了数据采集系统软件,从而完成了纳秒级门控积分器的实用化的基本工作。电子学测试结果和现场打靶结果表明该系统完全符合实用系统的要求。
介绍了一个基于标准总线VXI的四路门控积分器模块插件。在四路独立的纳秒门控积分电路的基础上,采用VXI寄存器基接口实现对各路门控积分器的数据采集和控制,采用Labwindows/CVI编写了数据采集系统软件,从而完成了纳秒级门控积分器的实用化的基本工作。电子学测试结果和现场打靶结果表明该系统完全符合实用系统的要求。
2001, 13.
摘要:
对UBK7玻璃在波长为1.064靘的短脉冲激光作用下产生的损伤进行了研究。通过对体损伤的形貌的相衬显微镜观测,发现体内和后表面炸裂点间的丝状损伤,从而提出后表面缺陷导致体损伤的理论解释。同时分析了表面损伤和体损伤的机理,对后表面损伤阈值低于前表面的原因作了讨论。
对UBK7玻璃在波长为1.064靘的短脉冲激光作用下产生的损伤进行了研究。通过对体损伤的形貌的相衬显微镜观测,发现体内和后表面炸裂点间的丝状损伤,从而提出后表面缺陷导致体损伤的理论解释。同时分析了表面损伤和体损伤的机理,对后表面损伤阈值低于前表面的原因作了讨论。
2001, 13.
摘要:
采用改进型双盘靶结构,初级改用为斜柱腔结构,激光加热初级薄箔,后向出射的X光烧蚀次级,这样降低初级等离子体喷射的影响,使烧蚀次级的X光更纯净。采用X光条纹相机测量双盘靶等离子体喷射的时空扫描图象,采用两台软X光谱仪分别对初级和次级辐射的X光进行测量,研究次级盘对初级发射的X光谱的改造。测量结果表明:这种结构的双盘靶基本上能避免初级盘喷射等离子体的影响,初级盘后向辐射的X光谱具有明显 的N和O带谱结构,而次级辐射的X光谱主要以O带为主。
采用改进型双盘靶结构,初级改用为斜柱腔结构,激光加热初级薄箔,后向出射的X光烧蚀次级,这样降低初级等离子体喷射的影响,使烧蚀次级的X光更纯净。采用X光条纹相机测量双盘靶等离子体喷射的时空扫描图象,采用两台软X光谱仪分别对初级和次级辐射的X光进行测量,研究次级盘对初级发射的X光谱的改造。测量结果表明:这种结构的双盘靶基本上能避免初级盘喷射等离子体的影响,初级盘后向辐射的X光谱具有明显 的N和O带谱结构,而次级辐射的X光谱主要以O带为主。
2001, 13.
摘要:
使用R-矩阵方法和半经验方法,计算了高价离子Al-X 2s2 1S-2s2p1P0共振谱线在电子密度为1017cm-3时的线宽和线移随温度的变化关系,两种计算得到的线宽结果符合得比较好。使用半经验方法可以获得大量谱线的电子碰撞展宽,以满足需要大量数据的等离子体不透明度的计算的需要。使用半经验方法同时得到了其它一些谱线的电子碰撞宽度。
使用R-矩阵方法和半经验方法,计算了高价离子Al-X 2s2 1S-2s2p1P0共振谱线在电子密度为1017cm-3时的线宽和线移随温度的变化关系,两种计算得到的线宽结果符合得比较好。使用半经验方法可以获得大量谱线的电子碰撞展宽,以满足需要大量数据的等离子体不透明度的计算的需要。使用半经验方法同时得到了其它一些谱线的电子碰撞宽度。
2001, 13.
摘要:
功能梯度材料应用前景广阔,特别在ICF研究中,梯度靶是一种重要的基础-基准靶。以Cu2O和C60为原料,用真空蒸镀法在石英基底上制备了Cu2O/C60梯度薄膜,并用XPS, AFM, 紫外光谱仪对其成份分布、表面形貌、紫外吸收谱进行了测试。测量结果表明,薄膜的组成沿厚度方向呈连续梯度变化,符合梯度功能材料的变化规律。
功能梯度材料应用前景广阔,特别在ICF研究中,梯度靶是一种重要的基础-基准靶。以Cu2O和C60为原料,用真空蒸镀法在石英基底上制备了Cu2O/C60梯度薄膜,并用XPS, AFM, 紫外光谱仪对其成份分布、表面形貌、紫外吸收谱进行了测试。测量结果表明,薄膜的组成沿厚度方向呈连续梯度变化,符合梯度功能材料的变化规律。
2001, 13.
摘要:
对实现焦斑形态控制的衍射光学器件进行了精细化设计,模拟计算结果表明,可同时满足洞口附近旁瓣光强峰值不超过主瓣平均光强的0.01%,且主瓣顶部不均匀性小于10%。选取不同的采样间隔对比说明了精细化设计相对于传统设计,能真实准确地获得焦斑形态的性能参数。最后,采用功率谱密度(PSD)方法初步分析了器件几何结构与焦斑性能,特别是旁瓣间的对应关系。
对实现焦斑形态控制的衍射光学器件进行了精细化设计,模拟计算结果表明,可同时满足洞口附近旁瓣光强峰值不超过主瓣平均光强的0.01%,且主瓣顶部不均匀性小于10%。选取不同的采样间隔对比说明了精细化设计相对于传统设计,能真实准确地获得焦斑形态的性能参数。最后,采用功率谱密度(PSD)方法初步分析了器件几何结构与焦斑性能,特别是旁瓣间的对应关系。
2001, 13.
摘要:
研制了一种由高功率宽带模式转换结构、导电线框TEM喇叭馈电结构及抛物反射面构成的天线,用其辐射高功率亚纳秒电磁脉冲。时域测试表明,在半宽为700ps、峰值电压为200kV脉冲激励下,天线的主瓣宽度约为±3.8°,辐射效率约为37%。
研制了一种由高功率宽带模式转换结构、导电线框TEM喇叭馈电结构及抛物反射面构成的天线,用其辐射高功率亚纳秒电磁脉冲。时域测试表明,在半宽为700ps、峰值电压为200kV脉冲激励下,天线的主瓣宽度约为±3.8°,辐射效率约为37%。
2001, 13.
摘要:
核电磁脉冲(NEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)和高功率微波(HPM)等强电磁脉冲对单片机系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究它们对单片机系统的各种效应,利用GTEM室产生的核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明,单片机系统在强电磁脉冲作用下,会出现“死机”、重启动、通讯出错等现象。基于实验,讨论了单片机系统的各种效应产生的原因。
核电磁脉冲(NEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)和高功率微波(HPM)等强电磁脉冲对单片机系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究它们对单片机系统的各种效应,利用GTEM室产生的核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明,单片机系统在强电磁脉冲作用下,会出现“死机”、重启动、通讯出错等现象。基于实验,讨论了单片机系统的各种效应产生的原因。
2001, 13.
摘要:
相对论双流放大器是一种结构简单、高效率的高功率微波器件。其作用机理是沿同一方向传播的两束同心的环形电子束之间的双流不稳定性。这种双流不稳定性导致两个电子束之间的能量交换,最后由输出腔变成微波放大输出。相对论双流放大器成功的关键之一就是同一方向传播的两束同心的环形电子束的成形,利用MAGIC粒子模拟程序,对相对论双流放大器电子注的成形进行了粒子模拟。通过粒子模拟,证实了选择合适的参数来形成两束环形同心束是可行的。
相对论双流放大器是一种结构简单、高效率的高功率微波器件。其作用机理是沿同一方向传播的两束同心的环形电子束之间的双流不稳定性。这种双流不稳定性导致两个电子束之间的能量交换,最后由输出腔变成微波放大输出。相对论双流放大器成功的关键之一就是同一方向传播的两束同心的环形电子束的成形,利用MAGIC粒子模拟程序,对相对论双流放大器电子注的成形进行了粒子模拟。通过粒子模拟,证实了选择合适的参数来形成两束环形同心束是可行的。
2001, 13.
摘要:
采用URMEL-T程序进行了二次发射微波电子枪的腔内电磁计算和特性分析。同时利用URMEL-T得出的腔内轴向电场及自编程序,模拟电子在该高频场作用下的运动。计算表明二次发射微波电子枪确实具有相位选择性,进而探讨了腔形尺寸、射频电场强度对相位选择性和产生二次倍增的有关条件的影响,以及输出电子的能量稳定性。模拟结果表明,这类电子枪(MPG)可得到高电流密度(5303A/cm2)及短脉冲(3.15~10ps)的电子束。
采用URMEL-T程序进行了二次发射微波电子枪的腔内电磁计算和特性分析。同时利用URMEL-T得出的腔内轴向电场及自编程序,模拟电子在该高频场作用下的运动。计算表明二次发射微波电子枪确实具有相位选择性,进而探讨了腔形尺寸、射频电场强度对相位选择性和产生二次倍增的有关条件的影响,以及输出电子的能量稳定性。模拟结果表明,这类电子枪(MPG)可得到高电流密度(5303A/cm2)及短脉冲(3.15~10ps)的电子束。
2001, 13.
摘要:
提出了一种单发实验测量软X射线波段多层膜反射镜反射特性的简易方法。实验采用激光等离子体软X射线源作为光源,用平焦场光栅谱仪分光,在光路中引入掠入射镜以消除高级次谱的影响,用软X光CCD记录,在一发激光打靶实验中,测量了设计中心波长为13.9 nm的Mo/Si多层膜反射镜的反射特性。
提出了一种单发实验测量软X射线波段多层膜反射镜反射特性的简易方法。实验采用激光等离子体软X射线源作为光源,用平焦场光栅谱仪分光,在光路中引入掠入射镜以消除高级次谱的影响,用软X光CCD记录,在一发激光打靶实验中,测量了设计中心波长为13.9 nm的Mo/Si多层膜反射镜的反射特性。
2001, 13.
摘要:
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器,对高损伤阈值薄膜常采用的HfO2光损伤所形成的孔洞,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似,激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一。
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器,对高损伤阈值薄膜常采用的HfO2光损伤所形成的孔洞,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似,激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一。
2001, 13.
摘要:
使用广义惠更斯—菲涅尔衍射积分,增广矩阵和Wigner分布函数方法,研究了偏心厄米--高斯光束通过失调非对称一阶光学系统的传输特性,证明了偏心厄米--高斯光束通过一阶光学系统时保持其封闭性,光束的二阶矩矩阵按通常的规律变换,一阶矩矩阵遵循几何光线的变换规律,光束传输因子保持不变。
使用广义惠更斯—菲涅尔衍射积分,增广矩阵和Wigner分布函数方法,研究了偏心厄米--高斯光束通过失调非对称一阶光学系统的传输特性,证明了偏心厄米--高斯光束通过一阶光学系统时保持其封闭性,光束的二阶矩矩阵按通常的规律变换,一阶矩矩阵遵循几何光线的变换规律,光束传输因子保持不变。
2001, 13.
摘要:
扩展面光源如太阳光与激光光源有明显的差异,因此它们照射到随机粗糙柱面后的散射特性也不同。利用随机面元模型,详细分析了刚性随机粗糙柱形表面的激光散射特点,建立了实用化的随机粗糙柱面激光散射理论模型,并给出了正入射时几种情况下的激光散射图像。结果表明,不管哪种情况,正入射时柱面的激光后向散射都很强,而偏离后向的激光散射分布与表面的粗糙度及照射光斑与柱面直径的关系等有关。
扩展面光源如太阳光与激光光源有明显的差异,因此它们照射到随机粗糙柱面后的散射特性也不同。利用随机面元模型,详细分析了刚性随机粗糙柱形表面的激光散射特点,建立了实用化的随机粗糙柱面激光散射理论模型,并给出了正入射时几种情况下的激光散射图像。结果表明,不管哪种情况,正入射时柱面的激光后向散射都很强,而偏离后向的激光散射分布与表面的粗糙度及照射光斑与柱面直径的关系等有关。
2001, 13.
摘要:
采用三维有限元法分析了面阵二极管激光器背冷式封装结构的散热效率,对次热沉厚度,冷却器结构参数进行了优化设计,计算结果表明,优化设计后的封装结构,可满足面功率密度为500W/cm2,占空比为20%的高平均功率面阵二极管激光器的散热要求。
采用三维有限元法分析了面阵二极管激光器背冷式封装结构的散热效率,对次热沉厚度,冷却器结构参数进行了优化设计,计算结果表明,优化设计后的封装结构,可满足面功率密度为500W/cm2,占空比为20%的高平均功率面阵二极管激光器的散热要求。
2001, 13.
摘要:
介绍了自发喇曼成像技术实时监测流场组分浓度的方法,利用Nd:YAG脉冲激光器以及ICCD和光谱仪对大气进行了不同实验条件的测试,得到了影响谱线强度及测试精度的几个因素;得到了大气流场各主要成分的自发喇曼散射光谱和绝对浓度,测量误差小于8%。该技术可望在氧碘化学激光器单重态氧发生器物种浓度测定时得以应用以改善O2(1Δ)浓度测试精度较低的现状。
介绍了自发喇曼成像技术实时监测流场组分浓度的方法,利用Nd:YAG脉冲激光器以及ICCD和光谱仪对大气进行了不同实验条件的测试,得到了影响谱线强度及测试精度的几个因素;得到了大气流场各主要成分的自发喇曼散射光谱和绝对浓度,测量误差小于8%。该技术可望在氧碘化学激光器单重态氧发生器物种浓度测定时得以应用以改善O2(1Δ)浓度测试精度较低的现状。
2001, 13.
摘要:
深入分析了Shack-Hartmann 波前传感器(S-H WFS)在实际大气湍流条件下弱光信标波前斜率的探测误差,导出了定量分析的数学模型。分析结果表明,当S-H WFS用于弱光信标(光子受限)湍流波前斜率的探测时,除了信标光起伏和探测器噪声外,大气强度闪烁、天空背景光等因素会增加探测误差,并且随着探测信标与天空背景光的对比度的下降,质心探测误差会随着孔径到达角起伏的增加而增加。
深入分析了Shack-Hartmann 波前传感器(S-H WFS)在实际大气湍流条件下弱光信标波前斜率的探测误差,导出了定量分析的数学模型。分析结果表明,当S-H WFS用于弱光信标(光子受限)湍流波前斜率的探测时,除了信标光起伏和探测器噪声外,大气强度闪烁、天空背景光等因素会增加探测误差,并且随着探测信标与天空背景光的对比度的下降,质心探测误差会随着孔径到达角起伏的增加而增加。
2001, 13.
摘要:
提出了透射光栅谱仪整体标定的建议,并在北京同步辐射源上首次对ICF实验中所用的透射光栅谱仪进行了整体标定, 获得了与分别标定基本一致的结果。与分别标定相比,整体标定具有实验步骤少、实验数据处理简单、标定结果使用更加直接等优点。
提出了透射光栅谱仪整体标定的建议,并在北京同步辐射源上首次对ICF实验中所用的透射光栅谱仪进行了整体标定, 获得了与分别标定基本一致的结果。与分别标定相比,整体标定具有实验步骤少、实验数据处理简单、标定结果使用更加直接等优点。
2001, 13.
摘要:
激光在近水平长距离传输时,闪烁效应会影响自适应光学的校正效果。在Rytov近似下,导出了纯相位补偿方差和全场补偿方差与信标光波长的关系,研究了信标光波长对补偿效果的影响。结果表明,当信标光的波长与主激光波长之比小于1.89时,全场补偿的方差小于纯相位补偿的方差。
激光在近水平长距离传输时,闪烁效应会影响自适应光学的校正效果。在Rytov近似下,导出了纯相位补偿方差和全场补偿方差与信标光波长的关系,研究了信标光波长对补偿效果的影响。结果表明,当信标光的波长与主激光波长之比小于1.89时,全场补偿的方差小于纯相位补偿的方差。
2001, 13.
摘要:
脉冲发电机具有小型、机动、灵活、可靠、寿命长等特点, 作为高功率固体激光器和加速器电源是一新的技术路线。比较了各种类型脉冲电源的性能指标,解释了旋转磁通压缩和串级原理,提出串级脉冲发电机的自激、偏极与双机同壳概念,给出电机的设计公式,10MW串级脉冲发电机的设计、实验及在强激光与粒子束领域中的潜在应用。
脉冲发电机具有小型、机动、灵活、可靠、寿命长等特点, 作为高功率固体激光器和加速器电源是一新的技术路线。比较了各种类型脉冲电源的性能指标,解释了旋转磁通压缩和串级原理,提出串级脉冲发电机的自激、偏极与双机同壳概念,给出电机的设计公式,10MW串级脉冲发电机的设计、实验及在强激光与粒子束领域中的潜在应用。
2001, 13.
摘要:
描述了束流位置探测器(BPM)探头定标、定标电场的拟合和误差计算。该定标系统采用了具有调节精度为10μm垂直放置真空管道的天线模拟定标装置和分辨率高达1μm外差式、窄带频域信号处理电子学线路。并推导出针对合肥光源(HLS)定标系统条件下的电场拟合函数及相关的BPM-Mapping图和误差计算结果,较精确地计算出该高精度定标系统误差。
描述了束流位置探测器(BPM)探头定标、定标电场的拟合和误差计算。该定标系统采用了具有调节精度为10μm垂直放置真空管道的天线模拟定标装置和分辨率高达1μm外差式、窄带频域信号处理电子学线路。并推导出针对合肥光源(HLS)定标系统条件下的电场拟合函数及相关的BPM-Mapping图和误差计算结果,较精确地计算出该高精度定标系统误差。
2001, 13.
摘要:
考虑了有限磁场的作用,利用“匹配场法”推导出填充环形等离子体时圆柱波导的色散方程,并较详细地讨论了等离子体的厚度、密度, 以及所加磁场强度对色散特性的影响。尤其讨论了等离子体厚度对增长率的影响并得出:对应最大的增长率有一最佳的等离子体厚度。
考虑了有限磁场的作用,利用“匹配场法”推导出填充环形等离子体时圆柱波导的色散方程,并较详细地讨论了等离子体的厚度、密度, 以及所加磁场强度对色散特性的影响。尤其讨论了等离子体厚度对增长率的影响并得出:对应最大的增长率有一最佳的等离子体厚度。
2001, 13.
摘要:
在自旋轨道劈裂阵模型下,通过类铜组态理论计算出类镍Gd36+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02~5keV 范围内的变化规律,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势,这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。
在自旋轨道劈裂阵模型下,通过类铜组态理论计算出类镍Gd36+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02~5keV 范围内的变化规律,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势,这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。
2001, 13.
摘要:
采用特殊工艺制作了HIRFL-CSR电子冷却装置冷却段高精度螺线管线圈,两个产生反向磁场的线圈同轴、平行地放置在特制的测量装置上,高精度霍尔探头位于测量装置中心平面上,探头测量面与测量装置轴线重合,测量单个线圈磁场的横向分量,调节线圈几何轴相对于测量装置轴线的夹角,测得线圈磁轴的偏角小于1×10-3。
采用特殊工艺制作了HIRFL-CSR电子冷却装置冷却段高精度螺线管线圈,两个产生反向磁场的线圈同轴、平行地放置在特制的测量装置上,高精度霍尔探头位于测量装置中心平面上,探头测量面与测量装置轴线重合,测量单个线圈磁场的横向分量,调节线圈几何轴相对于测量装置轴线的夹角,测得线圈磁轴的偏角小于1×10-3。
2001, 13.
摘要:
强流相对论电子束二极管阴阳极等离子体的形成和漂移,是二极管工作状态研究的重要组成部分。根据Child-Langmuir定律和二极管导流系数,结合二极管阴极电子发射面积的变化模型,给出了二极管阴阳极等离子体漂移所导致的阴阳极间隙闭合速度。
强流相对论电子束二极管阴阳极等离子体的形成和漂移,是二极管工作状态研究的重要组成部分。根据Child-Langmuir定律和二极管导流系数,结合二极管阴极电子发射面积的变化模型,给出了二极管阴阳极等离子体漂移所导致的阴阳极间隙闭合速度。
2001, 13.
摘要:
给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍,同时利用PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系,然后用PIC数值模拟方法进行验证。对数值模拟的结果也给出了理论推导公式在不同状态下的二维效应修正因子与电子束流运动的特点。在研究中得到的电流电压关系理论公式基本上反映了不同条件下同轴型二极管的束流特性,所以此研究结果可以直接应用于包含同轴型二极管结构的脉冲功率器件的设计与实验结果的分析中,为实验中相关问题的解决提供设计的依据与理论分析基础。
给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍,同时利用PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系,然后用PIC数值模拟方法进行验证。对数值模拟的结果也给出了理论推导公式在不同状态下的二维效应修正因子与电子束流运动的特点。在研究中得到的电流电压关系理论公式基本上反映了不同条件下同轴型二极管的束流特性,所以此研究结果可以直接应用于包含同轴型二极管结构的脉冲功率器件的设计与实验结果的分析中,为实验中相关问题的解决提供设计的依据与理论分析基础。
2001, 13.
摘要:
断层扫描技术可为束流诊断提供一种与束流模型无关的新方法,该方法至少能够提高一个量级的束流发射度测量精度,而且可以得到足够分辨率的束流横向四维相空间分布。为此建立了迭代重建算法(ART)程序,作为例子重建了一个二维相空间束流图像,获得了很有意义的结果,表明该技术可以为研究束流传输、验证束流动力学理论提供可靠的束流相空间参数。
断层扫描技术可为束流诊断提供一种与束流模型无关的新方法,该方法至少能够提高一个量级的束流发射度测量精度,而且可以得到足够分辨率的束流横向四维相空间分布。为此建立了迭代重建算法(ART)程序,作为例子重建了一个二维相空间束流图像,获得了很有意义的结果,表明该技术可以为研究束流传输、验证束流动力学理论提供可靠的束流相空间参数。