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RSS2007年 19卷 第01期
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2007, 19.
摘要:
以二阶矩和环围功率作为束宽定义，对高斯光束通过像散透镜后光束参数，包括束宽和远场发散角作了解析和数值研究。结果表明：因像散引入束宽和远场发散角的相对误差与像散因子、瑞利尺寸、透镜焦距有关。对于束宽而言，相对误差还与传输距离z有关。在几何焦面处x和y方向束宽的相对误差相等。
以二阶矩和环围功率作为束宽定义，对高斯光束通过像散透镜后光束参数，包括束宽和远场发散角作了解析和数值研究。结果表明：因像散引入束宽和远场发散角的相对误差与像散因子、瑞利尺寸、透镜焦距有关。对于束宽而言，相对误差还与传输距离z有关。在几何焦面处x和y方向束宽的相对误差相等。
2007, 19.
摘要:
研究了运动石英玻璃板在CO2激光作用下的热效应，在考虑表面辐射和空气对流的情况下建立了数学模型，采用有限元软件ANSYS进行数值计算，得到了运动情况下石英玻璃的温度分布。比较了激光功率、光斑半径和运动速度对温度分布的影响，得到了温度分布与运动速度和激光参数之间的关系。结果显示石英玻璃板的表面温度随激光功率的增加而增加，随光斑半径、运动速度的增加而减小。
研究了运动石英玻璃板在CO2激光作用下的热效应，在考虑表面辐射和空气对流的情况下建立了数学模型，采用有限元软件ANSYS进行数值计算，得到了运动情况下石英玻璃的温度分布。比较了激光功率、光斑半径和运动速度对温度分布的影响，得到了温度分布与运动速度和激光参数之间的关系。结果显示石英玻璃板的表面温度随激光功率的增加而增加，随光斑半径、运动速度的增加而减小。
2007, 19.
摘要:
用100 TW激光器产生的超短超强激光与5 μm薄膜Cu靶的进行打靶实验，测量了靶背法线方向产生质子的角分布和能谱。实验中采用辐射变色膜片HD810测量质子的角分布，用CR39和Thomson磁谱仪结合测量质子能量分布。测量结果表明：质子发射张角为10°左右，质子沿着靶背法线方向发射，在能量为570 keV处出现截断。通过测量质子能量分布验证了超短超强激光等离子体相互作用过程中靶背法线鞘层质子加速机制。
用100 TW激光器产生的超短超强激光与5 μm薄膜Cu靶的进行打靶实验，测量了靶背法线方向产生质子的角分布和能谱。实验中采用辐射变色膜片HD810测量质子的角分布，用CR39和Thomson磁谱仪结合测量质子能量分布。测量结果表明：质子发射张角为10°左右，质子沿着靶背法线方向发射，在能量为570 keV处出现截断。通过测量质子能量分布验证了超短超强激光等离子体相互作用过程中靶背法线鞘层质子加速机制。
2007, 19.
摘要:
采用1.06 μm单脉冲激光在不同能量密度下辐照特殊光电系统中典型薄膜光学元件，理论分析了激光辐照薄膜元件产生的温度场和热应力场，在此基础上建立了激光辐照多层薄膜的物理模型，计算软件使用ANSYS软件的热分析模块对激光辐照薄膜元件产生的温度场和热应力场进行了模拟，分别给出不同激光能量密度下薄膜表面光斑中心的温度场、径向温度场和轴向温度场分布；同时给出不同能量密度下薄膜的轴向、径向和环向热应力分布。并对激光辐照薄膜元件产生的温度场、热应力场进行了分析，阐明了原因。
采用1.06 μm单脉冲激光在不同能量密度下辐照特殊光电系统中典型薄膜光学元件，理论分析了激光辐照薄膜元件产生的温度场和热应力场，在此基础上建立了激光辐照多层薄膜的物理模型，计算软件使用ANSYS软件的热分析模块对激光辐照薄膜元件产生的温度场和热应力场进行了模拟，分别给出不同激光能量密度下薄膜表面光斑中心的温度场、径向温度场和轴向温度场分布；同时给出不同能量密度下薄膜的轴向、径向和环向热应力分布。并对激光辐照薄膜元件产生的温度场、热应力场进行了分析，阐明了原因。
2007, 19.
摘要:
计算了MgO:LiNbO3晶体中，共线与非共线相位匹配光参量放大产生超短中红外激光脉冲过程中的相位匹配曲线、有效非线性系数以及时间和空间走离情况。结果表明，采用非共线相位匹配方式，可以实现三波间群速度匹配；在抑制了泵浦光与信号光之间的空间走离的同时加大了泵浦光与闲频光之间的空间走离，但这种影响可以忽略；同时非共线角的引入使相位匹配角增大，提高了有效非线性系数。因此，非共线角的引入在不影响空间走离的情况下，有效补偿超短中红外参量放大过程中的时间走离，有利于参量放大转换效率的提高。
计算了MgO:LiNbO3晶体中，共线与非共线相位匹配光参量放大产生超短中红外激光脉冲过程中的相位匹配曲线、有效非线性系数以及时间和空间走离情况。结果表明，采用非共线相位匹配方式，可以实现三波间群速度匹配；在抑制了泵浦光与信号光之间的空间走离的同时加大了泵浦光与闲频光之间的空间走离，但这种影响可以忽略；同时非共线角的引入使相位匹配角增大，提高了有效非线性系数。因此，非共线角的引入在不影响空间走离的情况下，有效补偿超短中红外参量放大过程中的时间走离，有利于参量放大转换效率的提高。
2007, 19.
摘要:
在菲涅耳衍射公式和模耦合理论的基础上，对有相位补偿的 Talbot外腔锁相在腔内场的分布进行了数值计算。计算结果表明：理想的相位补偿元件模式选择镜能够消除由于边缘效应引起的近场幅度不均匀，而且同相模的衍射损耗非常小，能有效地起到选择同相模的作用。实用的相位补偿元件相位型光栅对近场的幅度没有影响，也能够明显地减小同相模的衍射损耗，起到选择同相模的作用。
在菲涅耳衍射公式和模耦合理论的基础上，对有相位补偿的 Talbot外腔锁相在腔内场的分布进行了数值计算。计算结果表明：理想的相位补偿元件模式选择镜能够消除由于边缘效应引起的近场幅度不均匀，而且同相模的衍射损耗非常小，能有效地起到选择同相模的作用。实用的相位补偿元件相位型光栅对近场的幅度没有影响，也能够明显地减小同相模的衍射损耗，起到选择同相模的作用。
2007, 19.
摘要:
高精度的波前重构，是实现对强激光波前畸变进行有效补偿与控制，提高光束质量的重要前提。先利用三个较远的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以均方根梯度来描述的低频成分；再利用两个较近的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以随机分布描述的中高频成分。当波前畸变的低频幅度小于或等于2λ，中高频幅度小于或等于0.15λ时，算法具有良好的收敛性能。
高精度的波前重构，是实现对强激光波前畸变进行有效补偿与控制，提高光束质量的重要前提。先利用三个较远的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以均方根梯度来描述的低频成分；再利用两个较近的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以随机分布描述的中高频成分。当波前畸变的低频幅度小于或等于2λ，中高频幅度小于或等于0.15λ时，算法具有良好的收敛性能。
2007, 19.
摘要:
在气体流动管中对三氯化氮气体喷射自发分解的现象进行了初步实验研究。在一根长80 cm，直径4 cm的圆柱形石英玻璃管中，用喷嘴向气体流动管内喷射NCl3/He混合气体，观察到了NCl3喷射分解时的红色火焰。测量了火焰光谱并进行了归属，认为该光谱是Cl2(B→X)辐射跃迁。NCl3的喷射自发分解本质上是激波诱导发生的，即分子的动能转化为分子内能而引起的，生成的Cl原子及NCl2自由基与NCl3分子反应，从而得到持续燃烧火焰。实验结果表明了NCl3自发分解反应可代替放电或燃烧作为Cl原子的来源。
在气体流动管中对三氯化氮气体喷射自发分解的现象进行了初步实验研究。在一根长80 cm，直径4 cm的圆柱形石英玻璃管中，用喷嘴向气体流动管内喷射NCl3/He混合气体，观察到了NCl3喷射分解时的红色火焰。测量了火焰光谱并进行了归属，认为该光谱是Cl2(B→X)辐射跃迁。NCl3的喷射自发分解本质上是激波诱导发生的，即分子的动能转化为分子内能而引起的，生成的Cl原子及NCl2自由基与NCl3分子反应，从而得到持续燃烧火焰。实验结果表明了NCl3自发分解反应可代替放电或燃烧作为Cl原子的来源。
2007, 19.
摘要:
采用了并联主振荡-功率放大的相干合成方案，实现了光纤激光器的相干叠加。主振荡的输出光通过保偏光纤分束器分为两路，其中一路加入保偏光纤相位调制器以实现闭环控制，两个保偏光纤放大器分别对两路输出光进行放大，放大后的输出光再由一个2×2的保偏光纤耦合器会聚相干。合成输出光的一部分通过光电转换后进入数据采集卡，采集卡将采集到的数据送入计算机进行实时处理并将得到的反馈信号作用于相位调制器，相位调制器实时控制两路信号的相位差，从而实现整个实验系统的相干合成输出。系统实现闭环控制后，两路光纤放大器的相位差为2π的整数倍，输出光强始终保持最强。该相干合成方案简单易行，性能稳定。
采用了并联主振荡-功率放大的相干合成方案，实现了光纤激光器的相干叠加。主振荡的输出光通过保偏光纤分束器分为两路，其中一路加入保偏光纤相位调制器以实现闭环控制，两个保偏光纤放大器分别对两路输出光进行放大，放大后的输出光再由一个2×2的保偏光纤耦合器会聚相干。合成输出光的一部分通过光电转换后进入数据采集卡，采集卡将采集到的数据送入计算机进行实时处理并将得到的反馈信号作用于相位调制器，相位调制器实时控制两路信号的相位差，从而实现整个实验系统的相干合成输出。系统实现闭环控制后，两路光纤放大器的相位差为2π的整数倍，输出光强始终保持最强。该相干合成方案简单易行，性能稳定。
2007, 19.
摘要:
针对kJ级大能量钕玻璃固体脉冲激光器，对比研究了传统恒温水冷方式和采用加热控制的新型热管理技术下的激光棒温度分布情况。结果表明，采用新型热管理技术可大大降低棒内温度梯度，减小泵浦过程中的热效应，确保大能量激光输出；而且加热循环水的最佳升温值在单泵浦脉冲引起的激光棒平均温升值附近，使得径向温差最小，该最佳升温值与脉冲间隔时间有关,比如脉冲间隔15 s时，循环水在每个脉冲过后的最佳升温值为单泵浦脉冲引起的激光棒平均温升值的0.85倍；采用加热控制后水温和激光棒温度整体升高，因此在工作一个脉冲串后，必须恢复激光棒温度到初始状态，然后再进行下一个脉冲串工作。
针对kJ级大能量钕玻璃固体脉冲激光器，对比研究了传统恒温水冷方式和采用加热控制的新型热管理技术下的激光棒温度分布情况。结果表明，采用新型热管理技术可大大降低棒内温度梯度，减小泵浦过程中的热效应，确保大能量激光输出；而且加热循环水的最佳升温值在单泵浦脉冲引起的激光棒平均温升值附近，使得径向温差最小，该最佳升温值与脉冲间隔时间有关,比如脉冲间隔15 s时，循环水在每个脉冲过后的最佳升温值为单泵浦脉冲引起的激光棒平均温升值的0.85倍；采用加热控制后水温和激光棒温度整体升高，因此在工作一个脉冲串后，必须恢复激光棒温度到初始状态，然后再进行下一个脉冲串工作。
2007, 19.
摘要:
设计了精密动态测角实验系统，该系统利用扩束镜正向和逆向不同的光学变换性质，将共孔径双向传输的倍增式角敏光学系统与光电精密位置传感器（PSD）相结合，并从理论上分析了高灵敏光学测角的基本原理，给出了被测角与传感器信号的关系。为消除光电噪声对探测分辨率的影响，信号处理引入了相关检测模式。通过压缩系统噪声信号的等效带宽，从频域中滤除干扰信号的频率成分，实现了从噪声中提取高分辨角度信息。
设计了精密动态测角实验系统，该系统利用扩束镜正向和逆向不同的光学变换性质，将共孔径双向传输的倍增式角敏光学系统与光电精密位置传感器（PSD）相结合，并从理论上分析了高灵敏光学测角的基本原理，给出了被测角与传感器信号的关系。为消除光电噪声对探测分辨率的影响，信号处理引入了相关检测模式。通过压缩系统噪声信号的等效带宽，从频域中滤除干扰信号的频率成分，实现了从噪声中提取高分辨角度信息。
2007, 19.
摘要:
建立了激光在工作时的动态模型，即假设在单位时间内，激光介质的粒子数全部被泵浦到上能级。引入激光介质重复泵浦次数的概念，根据能量守恒原理，通过分析氧碘化学激光器(COIL)的传能机理，计算了沿气流方向变化的碘原子上能级的弛豫时间及沿气流方向变化的碰撞传能时间，并且计算了碘原子在出光区内被单重态氧反复泵浦的次数及相应的残余单重态氧数目，从而计算出碘原子在出光区的反复泵浦次数，修正了原计算COIL输出功率的公式。理论计算与实验结果均表明：当碘流量过低时，增益小于损耗，激光器不能起振；当增大碘流量时，激光输出功率也逐步增大，反复泵浦次数逐渐减少；当碘流量继续增大时，激光输出功率达到最大，且在一定碘流量变化范围内基本保持稳定；但随着碘流量的进一步增大，激光输出功率却逐步下降。
建立了激光在工作时的动态模型，即假设在单位时间内，激光介质的粒子数全部被泵浦到上能级。引入激光介质重复泵浦次数的概念，根据能量守恒原理，通过分析氧碘化学激光器(COIL)的传能机理，计算了沿气流方向变化的碘原子上能级的弛豫时间及沿气流方向变化的碰撞传能时间，并且计算了碘原子在出光区内被单重态氧反复泵浦的次数及相应的残余单重态氧数目，从而计算出碘原子在出光区的反复泵浦次数，修正了原计算COIL输出功率的公式。理论计算与实验结果均表明：当碘流量过低时，增益小于损耗，激光器不能起振；当增大碘流量时，激光输出功率也逐步增大，反复泵浦次数逐渐减少；当碘流量继续增大时，激光输出功率达到最大，且在一定碘流量变化范围内基本保持稳定；但随着碘流量的进一步增大，激光输出功率却逐步下降。
2007, 19.
摘要:
分析了正支虚共焦非稳腔中腔镜变形对激光模式的影响，采用时间离散化、快速傅里叶变换（FFT）和有限元分析(FEA)方法解决腔镜变形和激光模式两者之间的耦合问题。计算结果表明，随着激光器工作时间的增加，腔镜温升和变形相应增大，谐振腔模式变差，输出光场相位均匀性变差，呈现散焦现象，输出光束质量下降。实验验证了激光器输出光束质量随出光时间的延长而逐渐变坏。
分析了正支虚共焦非稳腔中腔镜变形对激光模式的影响，采用时间离散化、快速傅里叶变换（FFT）和有限元分析(FEA)方法解决腔镜变形和激光模式两者之间的耦合问题。计算结果表明，随着激光器工作时间的增加，腔镜温升和变形相应增大，谐振腔模式变差，输出光场相位均匀性变差，呈现散焦现象，输出光束质量下降。实验验证了激光器输出光束质量随出光时间的延长而逐渐变坏。
2007, 19.
摘要:
根据惯性约束聚变系统技术要求，提出了镀膜减反方案，以解决现有光栅由于元件表面反射影响零级透过率的问题。使用严格耦合波理论分析了镀sol-gel减反膜的取样光栅特性，详细地分析了仿形膜和平面膜的减反情况和取样效率的变化。结果发现，镀平面膜是一种可行的技术方案，光栅表面反射几乎完全消除，表明可以通过取样光栅镀膜减反来达到提高透射率的目的；裸光栅的深度为12 nm时，平面减反膜厚为60 nm，即光学厚度为等效1/4波长：72 nm。此时的透射率为99.8%，取样效率为0.241‰。
根据惯性约束聚变系统技术要求，提出了镀膜减反方案，以解决现有光栅由于元件表面反射影响零级透过率的问题。使用严格耦合波理论分析了镀sol-gel减反膜的取样光栅特性，详细地分析了仿形膜和平面膜的减反情况和取样效率的变化。结果发现，镀平面膜是一种可行的技术方案，光栅表面反射几乎完全消除，表明可以通过取样光栅镀膜减反来达到提高透射率的目的；裸光栅的深度为12 nm时，平面减反膜厚为60 nm，即光学厚度为等效1/4波长：72 nm。此时的透射率为99.8%，取样效率为0.241‰。
2007, 19.
摘要:
利用神光Ⅱ上激光与等离子体相互作用得到的软X光，建立了基于多层镜的四通道软X光单色器系统。研究了光源的性能，测量了光源强度、单色器系统稳定性、相应通道的一致性。研究表明，采用多层镜作为脉冲光源的分光元件，可以得到具有较好单色性的强脉冲软X 光标定源。光源的光子能量为253 eV和820 eV，两能道的光源强度分别为1.8×1019 photon/(s·cm2)和3.2×1019 photon/(s·cm2)。在该标定源上可以实现XRD、平面镜、多层镜、透射光栅和滤片的标定。
利用神光Ⅱ上激光与等离子体相互作用得到的软X光，建立了基于多层镜的四通道软X光单色器系统。研究了光源的性能，测量了光源强度、单色器系统稳定性、相应通道的一致性。研究表明，采用多层镜作为脉冲光源的分光元件，可以得到具有较好单色性的强脉冲软X 光标定源。光源的光子能量为253 eV和820 eV，两能道的光源强度分别为1.8×1019 photon/(s·cm2)和3.2×1019 photon/(s·cm2)。在该标定源上可以实现XRD、平面镜、多层镜、透射光栅和滤片的标定。
2007, 19.
摘要:
采用低压等离子增强化学气相沉积法用溴乙烷、氢气制备了掺溴的非晶碳梯度薄膜。通过样品的XPS能谱分析研究了薄膜沉积速率与氢气流量、溴元素原子分数与溴乙烷流量以及溴元素原子分数与刻蚀时间之间的关系，得出了溴乙烷流量、刻蚀时间对薄膜的主要键态含量、C元素sp2/sp3键态杂化比和薄膜硬度的影响。结果表明：薄膜沉积速率随氢气流量的增加而线性减小，溴元素含量随溴乙烷流量的增加先增加后降低，刻蚀时间越长，溴乙烷流量越小，薄膜越硬
采用低压等离子增强化学气相沉积法用溴乙烷、氢气制备了掺溴的非晶碳梯度薄膜。通过样品的XPS能谱分析研究了薄膜沉积速率与氢气流量、溴元素原子分数与溴乙烷流量以及溴元素原子分数与刻蚀时间之间的关系，得出了溴乙烷流量、刻蚀时间对薄膜的主要键态含量、C元素sp2/sp3键态杂化比和薄膜硬度的影响。结果表明：薄膜沉积速率随氢气流量的增加而线性减小，溴元素含量随溴乙烷流量的增加先增加后降低，刻蚀时间越长，溴乙烷流量越小，薄膜越硬
2007, 19.
摘要:
对渐变折射率薄膜替代均匀膜系作为高功率激光反射膜的可行性进行了理论研究。以较容易获得的线性共蒸法制备的光学膜在中心波长为1 064 nm的激光作用为例，分析了薄膜与基体之间波长的匹配、场强分布等问题。提出了通过改变微小单元获得梯度膜匹配厚度的数值方法，将之运用在14个周期结构的梯度膜中，并由膜系计算软件验证了所获得结果。最后通过分析Maxwell方程，计算了梯度膜中与薄膜损伤密切相关的电场强度分布。结果表明：周期性结构梯度高反射膜中的电场分布与传统高反射膜具有相似性，但相对于传统高反射膜容易在界面处出现损伤的情形而言，梯度膜更容易在表面出现损伤，使梯度膜表面反射相移接近π是高功率梯度高反射膜的设计方向。
对渐变折射率薄膜替代均匀膜系作为高功率激光反射膜的可行性进行了理论研究。以较容易获得的线性共蒸法制备的光学膜在中心波长为1 064 nm的激光作用为例，分析了薄膜与基体之间波长的匹配、场强分布等问题。提出了通过改变微小单元获得梯度膜匹配厚度的数值方法，将之运用在14个周期结构的梯度膜中，并由膜系计算软件验证了所获得结果。最后通过分析Maxwell方程，计算了梯度膜中与薄膜损伤密切相关的电场强度分布。结果表明：周期性结构梯度高反射膜中的电场分布与传统高反射膜具有相似性，但相对于传统高反射膜容易在界面处出现损伤的情形而言，梯度膜更容易在表面出现损伤，使梯度膜表面反射相移接近π是高功率梯度高反射膜的设计方向。
2007, 19.
摘要:
以间苯二酚和甲醛为前驱体，通过改进传统制备技术解决了高密度间苯二酚-甲醛(CRF)碳气凝胶制备过程中的龟裂问题，制备出了符合ICF实验需要的高密度CRF碳气凝胶材料。分别对CRF碳气凝胶的元素组成和物相组成进行了鉴定，采用自动吸附仪考察了CRF碳气凝胶对N2和H2的吸附性能。结果表明：该碳气凝胶是一种由C元素组成的类似石墨结构的非晶固态材料，结构均匀性好，具有良好的机械加工性能，比表面积达676 m2·g-1，平均孔径为7.16 nm；氢吸附质量分数达2.28%，相应体积密度为17.83 kg·m-3。
以间苯二酚和甲醛为前驱体，通过改进传统制备技术解决了高密度间苯二酚-甲醛(CRF)碳气凝胶制备过程中的龟裂问题，制备出了符合ICF实验需要的高密度CRF碳气凝胶材料。分别对CRF碳气凝胶的元素组成和物相组成进行了鉴定，采用自动吸附仪考察了CRF碳气凝胶对N2和H2的吸附性能。结果表明：该碳气凝胶是一种由C元素组成的类似石墨结构的非晶固态材料，结构均匀性好，具有良好的机械加工性能，比表面积达676 m2·g-1，平均孔径为7.16 nm；氢吸附质量分数达2.28%，相应体积密度为17.83 kg·m-3。
2007, 19.
摘要:
用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜，用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时，Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现，随着Mo靶溅射功率的增大，Mo/Si多层膜的表面粗糙度增加，Mo的特征X射线衍射峰也增强，Mo/Si多层膜的软X射线峰值反射率先增大后减小。
用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜，用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时，Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现，随着Mo靶溅射功率的增大，Mo/Si多层膜的表面粗糙度增加，Mo的特征X射线衍射峰也增强，Mo/Si多层膜的软X射线峰值反射率先增大后减小。
2007, 19.
摘要:
低密度泡沫材料大多存在一定程度的密度不均匀性，这对其后续使用性能将带来不良影响。文中简述了ICF靶用聚丙烯酸酯泡沫的制备方法，并利用β射线和X射线检测技术，对直径为mm量级的低密度聚丙烯酸酯泡沫柱进行密度分布表征。研究结果表明：泡沫柱沿轴向的密度分布比较均匀，而沿径向呈内低外高分布，形成了明显的密度梯度。实验表明：射线检测技术测量靶用低密度泡沫的方法可基本满足目前的实验要求，但密度分辨率和空间分辨率还有待进一步提高。
低密度泡沫材料大多存在一定程度的密度不均匀性，这对其后续使用性能将带来不良影响。文中简述了ICF靶用聚丙烯酸酯泡沫的制备方法，并利用β射线和X射线检测技术，对直径为mm量级的低密度聚丙烯酸酯泡沫柱进行密度分布表征。研究结果表明：泡沫柱沿轴向的密度分布比较均匀，而沿径向呈内低外高分布，形成了明显的密度梯度。实验表明：射线检测技术测量靶用低密度泡沫的方法可基本满足目前的实验要求，但密度分辨率和空间分辨率还有待进一步提高。
2007, 19.
摘要:
设计了一个紧凑型宽带L波段TM01-TE11模式转换器。该转换器使用同轴TEM和矩形TE10模式作为过渡模式，提高了模式转换器的工作带宽，缩小了模式转换器的尺寸，并且模式转换器的输入输出同轴。建立了一个尺寸为φ20.5 cm×55.2 cm的设计模型，并进行了数值模拟。结果表明：该模式转换器工作频率为1.63~2.22 GHz时转换效率超过90%，相对带宽超过30%；在1.72 GHz处转换效率达99.8%；工作频带内反射系数小于-11 dB，最低为-26.3 dB；该模式转换器的功率容量大于1 GW。
设计了一个紧凑型宽带L波段TM01-TE11模式转换器。该转换器使用同轴TEM和矩形TE10模式作为过渡模式，提高了模式转换器的工作带宽，缩小了模式转换器的尺寸，并且模式转换器的输入输出同轴。建立了一个尺寸为φ20.5 cm×55.2 cm的设计模型，并进行了数值模拟。结果表明：该模式转换器工作频率为1.63~2.22 GHz时转换效率超过90%，相对带宽超过30%；在1.72 GHz处转换效率达99.8%；工作频带内反射系数小于-11 dB，最低为-26.3 dB；该模式转换器的功率容量大于1 GW。
2007, 19.
摘要:
提出了一种新型的径向三腔同轴虚阴极振荡器，并对其进行了理论分析和数值模拟。这种虚阴极振荡器采用径向三腔结构，通过改变束-波互作用区的电场分布来提高电子束与TM01模式的耦合效率，并通过采用准谐振腔的结构来进一步抑制模式竞争以获得较高的输出微波增益。同时采用能量同轴提取的方式进一步提高器件的功率和效率。粒子模拟结果表明，在二极管电压400 kV，束流50 kA的条件下，径向三腔同轴虚阴极振荡器在4.14 GHz处获得了平均功率约2.45 GW的微波输出，功率转换效率达到12％。输出微波模式纯度较高，频谱非常窄。
提出了一种新型的径向三腔同轴虚阴极振荡器，并对其进行了理论分析和数值模拟。这种虚阴极振荡器采用径向三腔结构，通过改变束-波互作用区的电场分布来提高电子束与TM01模式的耦合效率，并通过采用准谐振腔的结构来进一步抑制模式竞争以获得较高的输出微波增益。同时采用能量同轴提取的方式进一步提高器件的功率和效率。粒子模拟结果表明，在二极管电压400 kV，束流50 kA的条件下，径向三腔同轴虚阴极振荡器在4.14 GHz处获得了平均功率约2.45 GW的微波输出，功率转换效率达到12％。输出微波模式纯度较高，频谱非常窄。
2007, 19.
摘要:
介绍了S波段基于行波管放大器的2 kW连续波功率合成技术。对大功率合成效率以及影响幅相一致性的原因进行了分析。在分析的基础上设计了2 kW连续波功率合成放大器，阐述了幅度均衡的实现方法、相位均衡的实现方法和合成器的击穿保护措施,并开展了实验研究，实验结果表明：采取幅相均衡技术以后，合成效率大于95％。
介绍了S波段基于行波管放大器的2 kW连续波功率合成技术。对大功率合成效率以及影响幅相一致性的原因进行了分析。在分析的基础上设计了2 kW连续波功率合成放大器，阐述了幅度均衡的实现方法、相位均衡的实现方法和合成器的击穿保护措施,并开展了实验研究，实验结果表明：采取幅相均衡技术以后，合成效率大于95％。
2007, 19.
摘要:
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中，针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验，结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极），而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析，分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大，热载流子撞击界面，使流经界面处的少数载流子复合速度增加，少数载流子在界面处及界面附近被复合，从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入，器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中，针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验，结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极），而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析，分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大，热载流子撞击界面，使流经界面处的少数载流子复合速度增加，少数载流子在界面处及界面附近被复合，从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入，器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。
2007, 19.
摘要:
采用CST MICROWAVE STUDIO电磁场数值计算软件,对电-磁振子组合型超宽带（UWB）天线结构参数与天线性能之间的物理关系进行了分析。电磁组合型天线的物理结构包括三部分：天线的馈电系统、TEM喇叭辐射单元和电流环辐射单元。激励源采用高斯脉冲，边界为6层理想吸收边界（PML6）。仿真结果表明：组合天线的外导体屏蔽和电流环分别改善了不同频带内的端口参数；当电流环周长(105 cm)约等于天线尺寸(50 cm)的2倍时，天线的反射能量较小，端口参数曲线平坦；天线的物理尺寸决定其辐射带宽，尺寸越大，低频辐射特性越好。
采用CST MICROWAVE STUDIO电磁场数值计算软件,对电-磁振子组合型超宽带（UWB）天线结构参数与天线性能之间的物理关系进行了分析。电磁组合型天线的物理结构包括三部分：天线的馈电系统、TEM喇叭辐射单元和电流环辐射单元。激励源采用高斯脉冲，边界为6层理想吸收边界（PML6）。仿真结果表明：组合天线的外导体屏蔽和电流环分别改善了不同频带内的端口参数；当电流环周长(105 cm)约等于天线尺寸(50 cm)的2倍时，天线的反射能量较小，端口参数曲线平坦；天线的物理尺寸决定其辐射带宽，尺寸越大，低频辐射特性越好。
2007, 19.
摘要:
利用3D PIC软件和乌克兰开发的电子光学计算软件TAU对二次谐波回旋行波管Cusp电子枪进行模拟，提取电子的3维运动速度计算横纵速度比。在阳极电压和阴极电流变化的条件下，对电子速度比和速度零散随之而变化的情况进行了模拟，得到平均速度比1.1和平均速度零散9.5%的结果。基于电子平均半径，并根据电子平均半径与横向速度、纵向速度的关系提出了一种实验测量速度比的方法。当电子轰击荧光屏玻璃时，玻璃上的荧光物质感应到光斑，测量空心光斑的平均半径可计算得到电子速度比，其结果与模拟值误差15%。
利用3D PIC软件和乌克兰开发的电子光学计算软件TAU对二次谐波回旋行波管Cusp电子枪进行模拟，提取电子的3维运动速度计算横纵速度比。在阳极电压和阴极电流变化的条件下，对电子速度比和速度零散随之而变化的情况进行了模拟，得到平均速度比1.1和平均速度零散9.5%的结果。基于电子平均半径，并根据电子平均半径与横向速度、纵向速度的关系提出了一种实验测量速度比的方法。当电子轰击荧光屏玻璃时，玻璃上的荧光物质感应到光斑，测量空心光斑的平均半径可计算得到电子速度比，其结果与模拟值误差15%。
2007, 19.
摘要:
针对大型直线感应加速器单次工作的特点，研制了一种电容放电式脉冲励磁电源。该电源利用电容器的储能特性，取代常规电源的变压整流滤波部分，先对其以小电流恒流充电，然后再以大电流恒流放电来获得直线感应加速器励磁电流。对这种电源进行了理论分析和模拟计算，模拟结果与实验结果基本一致。实验结果表明：这种电源能够脉冲工作，同时输入功率大幅度降低，在输出电流500 A，持续时间0.3 s时，输入功率400 W，输出功率25 kW，电流稳定度0.2%， 谐波小， 电流纹波小，所用电容器100块左右(33 mF)，经济上也可承受，是一种非常适合直线感应加速器的励磁电源。
针对大型直线感应加速器单次工作的特点，研制了一种电容放电式脉冲励磁电源。该电源利用电容器的储能特性，取代常规电源的变压整流滤波部分，先对其以小电流恒流充电，然后再以大电流恒流放电来获得直线感应加速器励磁电流。对这种电源进行了理论分析和模拟计算，模拟结果与实验结果基本一致。实验结果表明：这种电源能够脉冲工作，同时输入功率大幅度降低，在输出电流500 A，持续时间0.3 s时，输入功率400 W，输出功率25 kW，电流稳定度0.2%， 谐波小， 电流纹波小，所用电容器100块左右(33 mF)，经济上也可承受，是一种非常适合直线感应加速器的励磁电源。
2007, 19.
摘要:
基于隧道二极管单稳态电路、高速可重触发电路、ECL技术等多种高速电路技术设计了BEPCⅡ束团缺口信号提取电路。介绍了BEPCⅡ储存环中带缺口的多束团运行模式。对Pickup电极感应信号经过长电缆传输衰减后的波形进行了研究。分析了缺口提取电路中处理快速信号的隧道二极管单稳态电路原理，该电路可以将0.3 ns的正脉冲展宽到4 ns的ECL电平脉冲。给出了标准束团注入和非标准注入情况下束团缺口判定逻辑。测试结果表明:此电路对各种束团注入情况均能正常工作，且提取出的同步信号均方根抖动值仅为80.49 ps，满足设计要求。
基于隧道二极管单稳态电路、高速可重触发电路、ECL技术等多种高速电路技术设计了BEPCⅡ束团缺口信号提取电路。介绍了BEPCⅡ储存环中带缺口的多束团运行模式。对Pickup电极感应信号经过长电缆传输衰减后的波形进行了研究。分析了缺口提取电路中处理快速信号的隧道二极管单稳态电路原理，该电路可以将0.3 ns的正脉冲展宽到4 ns的ECL电平脉冲。给出了标准束团注入和非标准注入情况下束团缺口判定逻辑。测试结果表明:此电路对各种束团注入情况均能正常工作，且提取出的同步信号均方根抖动值仅为80.49 ps，满足设计要求。
2007, 19.
摘要:
在交汇段设计理论的基础上，针对北京大学ERL的具体情况，对交汇段的束流传输结构进行了优化设计，通过模拟得到了满足要求的一组设计参数；研究了空间电荷效应以及相干同步辐射对束流发射度、能散及包络的影响。结果表明：空间电荷效应对发射度影响不大，但对束流包络影响较明显；相干同步辐射引起的发射度增长及能散较小，且不影响束流包络。
在交汇段设计理论的基础上，针对北京大学ERL的具体情况，对交汇段的束流传输结构进行了优化设计，通过模拟得到了满足要求的一组设计参数；研究了空间电荷效应以及相干同步辐射对束流发射度、能散及包络的影响。结果表明：空间电荷效应对发射度影响不大，但对束流包络影响较明显；相干同步辐射引起的发射度增长及能散较小，且不影响束流包络。
2007, 19.
摘要:
从电感的基本定义出发，推导了一个新的递推公式，可准确地对含磁芯线圈动态电感进行数值计算，并在纯电感、含有5匝磁芯线圈和含有17块铁氧体大环磁芯的感应腔在双脉冲励磁情况下分别计算了动态电感量，验证了该方法的可行性。通过电感值可反推出磁芯在各种情况下磁导率的变化曲线，从而确定磁芯的磁特性及其适用范围。
从电感的基本定义出发，推导了一个新的递推公式，可准确地对含磁芯线圈动态电感进行数值计算，并在纯电感、含有5匝磁芯线圈和含有17块铁氧体大环磁芯的感应腔在双脉冲励磁情况下分别计算了动态电感量，验证了该方法的可行性。通过电感值可反推出磁芯在各种情况下磁导率的变化曲线，从而确定磁芯的磁特性及其适用范围。
2007, 19.
摘要:
DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号，通过耦合电容，到达开关的触发脉冲上升沿，约为40 ns，脉冲半高宽约60 ns，上升陡度大于0.67 kV/ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关，电压工作范围20～40 kV，不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4 ns，同一发次不同开关的放电时间分散性小于20 ns。在工作电压20 kV，主放电开关充0.115 MPa氮气时，整机负载电流达到约1 MA。
DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号，通过耦合电容，到达开关的触发脉冲上升沿，约为40 ns，脉冲半高宽约60 ns，上升陡度大于0.67 kV/ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关，电压工作范围20～40 kV，不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4 ns，同一发次不同开关的放电时间分散性小于20 ns。在工作电压20 kV，主放电开关充0.115 MPa氮气时，整机负载电流达到约1 MA。
2007, 19.
摘要:
分析比较了阻抗匹配和失配情况下传输线充电的原理和波过程。分析结果表明：失配情况下的最大优点是能够实现脉冲功率增益。应用阻抗为27 W、长度为540 mm传输线为充电传输线和长度分别为30,45,60 mm、阻抗均为5 W传输线为被充电传输线进行了对比试验。实验结果表明：在距离辐射天线6 m处，输出辐射场强随低阻抗传输线长度增加而略有增加，最大辐射场强为49 kV/m,考虑气体开关的实际能量损耗，这与理论分析的充电电压和功率增益关系相吻合；长度为45 mm的5 W被充电传输线的输出脉冲前沿约210 ps,幅度约为150 kV。
分析比较了阻抗匹配和失配情况下传输线充电的原理和波过程。分析结果表明：失配情况下的最大优点是能够实现脉冲功率增益。应用阻抗为27 W、长度为540 mm传输线为充电传输线和长度分别为30,45,60 mm、阻抗均为5 W传输线为被充电传输线进行了对比试验。实验结果表明：在距离辐射天线6 m处，输出辐射场强随低阻抗传输线长度增加而略有增加，最大辐射场强为49 kV/m,考虑气体开关的实际能量损耗，这与理论分析的充电电压和功率增益关系相吻合；长度为45 mm的5 W被充电传输线的输出脉冲前沿约210 ps,幅度约为150 kV。
2007, 19.
摘要:
介绍了直线变压器驱动源（LTD）中磁芯的工作原理，通过模拟计算分析了磁芯伏秒数对LTD输出参数的影响。通过调整磁芯伏秒数、磁芯复位状态和负载阻值等实验条件进行了一系列实验。实验结果表明：判断磁芯饱和的依据主要有输出电压显著降低、输出脉冲脉宽减小及回路过阻尼状态下出现反向脉冲等；反向电流对磁芯具有复位效应，一定条件下可将磁芯完全复位。实验结果验证了理论分析及模拟计算的结果。根据对实验结果的分析，提出了针对不同应用领域利用磁芯饱和效应进行波形调节的初步设想。
介绍了直线变压器驱动源（LTD）中磁芯的工作原理，通过模拟计算分析了磁芯伏秒数对LTD输出参数的影响。通过调整磁芯伏秒数、磁芯复位状态和负载阻值等实验条件进行了一系列实验。实验结果表明：判断磁芯饱和的依据主要有输出电压显著降低、输出脉冲脉宽减小及回路过阻尼状态下出现反向脉冲等；反向电流对磁芯具有复位效应，一定条件下可将磁芯完全复位。实验结果验证了理论分析及模拟计算的结果。根据对实验结果的分析，提出了针对不同应用领域利用磁芯饱和效应进行波形调节的初步设想。
2007, 19.
摘要:
针对螺旋线型脉冲形成线放电过程的匝间击穿问题，采用数值模拟的方法研究了影响螺旋线上轴向电场的因素，模拟结果表明：螺旋线的螺旋角越大、开关的上升沿越小、负载的阻值越小则越容易造成匝间击穿；针对输出波形的前沿上冲和下凹问题，通过数值模拟和实验方法研究了加速器内阻抗不匹配段对输出波形的影响，结果表明: 改变螺旋线与开关之间连接段的阻抗以及开关和二极管之间过渡段的阻抗，使之接近于螺旋线阻抗，并使电长度减小，可以消除波形的前沿上冲和下凹，得到近似方波的高电压脉冲输出。
针对螺旋线型脉冲形成线放电过程的匝间击穿问题，采用数值模拟的方法研究了影响螺旋线上轴向电场的因素，模拟结果表明：螺旋线的螺旋角越大、开关的上升沿越小、负载的阻值越小则越容易造成匝间击穿；针对输出波形的前沿上冲和下凹问题，通过数值模拟和实验方法研究了加速器内阻抗不匹配段对输出波形的影响，结果表明: 改变螺旋线与开关之间连接段的阻抗以及开关和二极管之间过渡段的阻抗，使之接近于螺旋线阻抗，并使电长度减小，可以消除波形的前沿上冲和下凹，得到近似方波的高电压脉冲输出。
2007, 19.
摘要:
对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs，500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验，研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性，比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下，脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程，导致绕组首端的电压梯度增大，伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变，冲击电压以波的形式在绕组中传播，从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化，匝间电压的极值通常出现在绕组首末端，加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。
对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs，500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验，研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性，比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下，脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程，导致绕组首端的电压梯度增大，伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变，冲击电压以波的形式在绕组中传播，从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化，匝间电压的极值通常出现在绕组首末端，加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。
2007, 19.
摘要:
以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质，砷化镓光导半导体开关作为开关，设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明，复合介质Blumlein介电常数高达80～250，在21 Ω的匹配负载上获得电压幅值为2 kV，前沿小于5 ns，半高宽约34 ns，波动约±1%的平顶宽为22 ns的电压脉冲，能满足脉冲功率系统小型化的应用要求。
以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质，砷化镓光导半导体开关作为开关，设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明，复合介质Blumlein介电常数高达80～250，在21 Ω的匹配负载上获得电压幅值为2 kV，前沿小于5 ns，半高宽约34 ns，波动约±1%的平顶宽为22 ns的电压脉冲，能满足脉冲功率系统小型化的应用要求。
2007, 19.
摘要:
研究了左手材料的传输和反射特性，介绍了所仿真的样品形式和测量系统，并采用高频构造仿真方法(HFSS)在已有自由空间宽频测量的基础上进行理论仿真。结果表明：S参量的数字仿真与实验测量结果在宽频条件下达到了较好的一致性；测量中产生的损耗主要归因于铜线结构有限的电导率；理论上左手材料的最佳无损工作频段应高于谐振环的谐振频率。
研究了左手材料的传输和反射特性，介绍了所仿真的样品形式和测量系统，并采用高频构造仿真方法(HFSS)在已有自由空间宽频测量的基础上进行理论仿真。结果表明：S参量的数字仿真与实验测量结果在宽频条件下达到了较好的一致性；测量中产生的损耗主要归因于铜线结构有限的电导率；理论上左手材料的最佳无损工作频段应高于谐振环的谐振频率。
2007, 19.
摘要:
提出了一种基于Drude色散媒质模型的2维TM模时域有限差分法，数值模拟了高斯波束从自由空间垂直入射和斜入射到双负媒质(介电常数和磁导率同时为负)平板后的折射现象，并给出了平板内外的电场强度分布。模拟结果显示：垂直入射时，双负媒质平板对高斯波束具有汇聚作用，通过改变媒质的折射率，可以控制高斯波束通过组合平板的传播时间而不发生衰减；斜入射时，折射波束与入射波束均位于法线的同一侧，高斯波束在双负媒质与空气交界面处发生了负折射。
提出了一种基于Drude色散媒质模型的2维TM模时域有限差分法，数值模拟了高斯波束从自由空间垂直入射和斜入射到双负媒质(介电常数和磁导率同时为负)平板后的折射现象，并给出了平板内外的电场强度分布。模拟结果显示：垂直入射时，双负媒质平板对高斯波束具有汇聚作用，通过改变媒质的折射率，可以控制高斯波束通过组合平板的传播时间而不发生衰减；斜入射时，折射波束与入射波束均位于法线的同一侧，高斯波束在双负媒质与空气交界面处发生了负折射。
2007, 19.
摘要:
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm，偏置电压设置为 45 V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83，处于 2~26范围内，其对应的原电子能量约为980 eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm，偏置电压设置为 45 V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83，处于 2~26范围内，其对应的原电子能量约为980 eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。
2007, 19.
摘要:
考虑电子的反冲的影响，利用虚光子与相对论电子的康普顿散射理论对轴沟道辐射进行了研究。在与电子纵向运动静止的坐标系中，把晶格场等效为虚光子。当虚光子与作沟道运动的电子发生康普顿散射时，虚光子就会转化为实光子辐射出去。根据该理论，得到了含有康普顿波长项的轴沟道辐射的精确波长表达式，其近似式就是经典理论推导的公式；同时得到了单电子轴沟道辐射的光子产额和辐射功率的公式，结果也与经典理论公式一致。
考虑电子的反冲的影响，利用虚光子与相对论电子的康普顿散射理论对轴沟道辐射进行了研究。在与电子纵向运动静止的坐标系中，把晶格场等效为虚光子。当虚光子与作沟道运动的电子发生康普顿散射时，虚光子就会转化为实光子辐射出去。根据该理论，得到了含有康普顿波长项的轴沟道辐射的精确波长表达式，其近似式就是经典理论推导的公式；同时得到了单电子轴沟道辐射的光子产额和辐射功率的公式，结果也与经典理论公式一致。
2007, 19.
摘要:
采用溶胶凝胶法在（0001）Al2O3衬底上制备了不同掺杂原子分数的ZnO:Al薄膜，在Ar气氛中进行了600～950 ℃不同温度的退火处理，研究了掺杂原子分数和退火温度对薄膜光致发光、光吸收和透射的影响。结果显示，薄膜的紫外峰强度随掺杂原子分数和退火温度的提高而增强，与缺陷相关的绿光强度却随着掺杂原子分数和退火温度的提高而降低；薄膜光学带隙随掺杂原子分数的提高从3.21 eV增大到3.25 eV；光吸收在可见光区随着退火温度的升高而增大，在紫外区却随着退火温度的升高而减小，透射与吸收的变化规律相反；薄膜吸收边随退火温度的升高出现轻微的红移。
采用溶胶凝胶法在（0001）Al2O3衬底上制备了不同掺杂原子分数的ZnO:Al薄膜，在Ar气氛中进行了600～950 ℃不同温度的退火处理，研究了掺杂原子分数和退火温度对薄膜光致发光、光吸收和透射的影响。结果显示，薄膜的紫外峰强度随掺杂原子分数和退火温度的提高而增强，与缺陷相关的绿光强度却随着掺杂原子分数和退火温度的提高而降低；薄膜光学带隙随掺杂原子分数的提高从3.21 eV增大到3.25 eV；光吸收在可见光区随着退火温度的升高而增大，在紫外区却随着退火温度的升高而减小，透射与吸收的变化规律相反；薄膜吸收边随退火温度的升高出现轻微的红移。
