Email alert
RSS2009年 21卷 第06期
推荐文章
2009, 21.
摘要:
综述了快Z箍缩等离子体研究国内外最新进展及其聚变能源应用前景，介绍了快Z箍缩研究对高能密度物理与惯性约束聚变研究的意义，尤其对高产额、低成本聚变能源技术的可行性研究作了预测，初步探讨了作为聚变能源可能遇到的技术问题。
综述了快Z箍缩等离子体研究国内外最新进展及其聚变能源应用前景，介绍了快Z箍缩研究对高能密度物理与惯性约束聚变研究的意义，尤其对高产额、低成本聚变能源技术的可行性研究作了预测，初步探讨了作为聚变能源可能遇到的技术问题。
2009, 21.
摘要:
对ICF驱动器靶场环境温度的分布特性进行了实验设计，利用PC-2WS多通道温度监测记录仪和PTWD-2A精密温度传感器进行了3个垂直截面的温度测量实验，应用MATLAB软件进行了数据处理，得出了靶场温度分布特性。实验结果表明：设计的暖通空调系统能够保持整个靶场环境温度的稳定，但由于内热源的影响在中间层靶室、编组站附近和工作人员活动频繁区域且由于下层安装设备集中处产生了较大局部环境温度梯度，因此,对这些区域需要加强温控措施。
对ICF驱动器靶场环境温度的分布特性进行了实验设计，利用PC-2WS多通道温度监测记录仪和PTWD-2A精密温度传感器进行了3个垂直截面的温度测量实验，应用MATLAB软件进行了数据处理，得出了靶场温度分布特性。实验结果表明：设计的暖通空调系统能够保持整个靶场环境温度的稳定，但由于内热源的影响在中间层靶室、编组站附近和工作人员活动频繁区域且由于下层安装设备集中处产生了较大局部环境温度梯度，因此,对这些区域需要加强温控措施。
2009, 21.
摘要:
研究了利用辅助可见光系统精确瞄准KB显微镜物点的方法。设计了工作能点8 keV的周期多层膜KB显微镜系统，通过光线追迹和X射线成像实验，得到5 μm空间分辨率所对应的视场和景深，进而计算出诊断实验对应的指向和景深要求。基于KB系统的物像关系和精度要求，设计了辅助的可见光成像系统，实现了可见光系统与X射线KB系统间的等效瞄准，利用耦合好的系统进行了瞄准和X射线成像实验。实验结果表明:辅助光路可以实现±20 μm的垂轴面和±300 μm的轴向定位精度，满足KB显微镜的瞄准要求。
研究了利用辅助可见光系统精确瞄准KB显微镜物点的方法。设计了工作能点8 keV的周期多层膜KB显微镜系统，通过光线追迹和X射线成像实验，得到5 μm空间分辨率所对应的视场和景深，进而计算出诊断实验对应的指向和景深要求。基于KB系统的物像关系和精度要求，设计了辅助的可见光成像系统，实现了可见光系统与X射线KB系统间的等效瞄准，利用耦合好的系统进行了瞄准和X射线成像实验。实验结果表明:辅助光路可以实现±20 μm的垂轴面和±300 μm的轴向定位精度，满足KB显微镜的瞄准要求。
2009, 21.
摘要:
研究了微波被激光等离子体反射时反射波的频率变化。实验中微波发生器产生的微波入射到激光等离子体并被等离子体反射，反射波的频率由频谱分析仪测量，发现反射波的频率与入射波的频率明显不同，分析了在激光等离子体膨胀和熄灭两种情况下激光功率密度和入射波频率对反射波频移影响的原因。结果表明：在等离子体膨胀和熄灭过程中，反射波频移的最大值随激光功率密度的增加而增加；随入射微波频率的增加而减小。
研究了微波被激光等离子体反射时反射波的频率变化。实验中微波发生器产生的微波入射到激光等离子体并被等离子体反射，反射波的频率由频谱分析仪测量，发现反射波的频率与入射波的频率明显不同，分析了在激光等离子体膨胀和熄灭两种情况下激光功率密度和入射波频率对反射波频移影响的原因。结果表明：在等离子体膨胀和熄灭过程中，反射波频移的最大值随激光功率密度的增加而增加；随入射微波频率的增加而减小。
2009, 21.
摘要:
对镀制强激光薄膜的光学元件在外界环境中时,表面面形发生的变化进行了研究。理论分析了表面面形的变化机制，明确水致应力具有物理和化学两种形成机制,是改变镀膜元件面形的主要因素;实验研究了镀制激光高反膜的K9材料元件存放过程中面形变化趋势，发现这种趋势变化具有时间效应和湿度效应。
对镀制强激光薄膜的光学元件在外界环境中时,表面面形发生的变化进行了研究。理论分析了表面面形的变化机制，明确水致应力具有物理和化学两种形成机制,是改变镀膜元件面形的主要因素;实验研究了镀制激光高反膜的K9材料元件存放过程中面形变化趋势，发现这种趋势变化具有时间效应和湿度效应。
2009, 21.
摘要:
报道了在μm量级圆柱状金柱腔中原位成型制备微孔泡沫的方法。在直径400 μm、长度700 μm、壁厚20 μm、两端开口的金柱腔中原位成型成功制备出密度为50 mg·cm-3、蜂窝直径不超过1 μm的多元丙烯酸酯聚合物微孔泡沫。干燥过程中泡沫没有明显收缩，在柱腔中填充紧密，无需后续机械加工。
报道了在μm量级圆柱状金柱腔中原位成型制备微孔泡沫的方法。在直径400 μm、长度700 μm、壁厚20 μm、两端开口的金柱腔中原位成型成功制备出密度为50 mg·cm-3、蜂窝直径不超过1 μm的多元丙烯酸酯聚合物微孔泡沫。干燥过程中泡沫没有明显收缩，在柱腔中填充紧密，无需后续机械加工。
2009, 21.
摘要:
光学元件亚表面缺陷的有效检测已成为高阈值抗激光损伤光学元件制造的迫切要求。基于全内反射照明原理开展了全内反射显微技术检测光学元件亚表面缺陷的实验研究。结果表明：全内反射显微技术可有效检测光学元件亚表面缺陷；入射光偏振态和入射角度会影响元件内界面下不同深度处驻波形式照明强度的分布，对于可见度发生明显改变的微小缺陷点能衡量出其一定的深度尺寸范围；利用显微镜精密调焦对界面下一定深度处缺陷成像，可知缺陷点的位置深度。
光学元件亚表面缺陷的有效检测已成为高阈值抗激光损伤光学元件制造的迫切要求。基于全内反射照明原理开展了全内反射显微技术检测光学元件亚表面缺陷的实验研究。结果表明：全内反射显微技术可有效检测光学元件亚表面缺陷；入射光偏振态和入射角度会影响元件内界面下不同深度处驻波形式照明强度的分布，对于可见度发生明显改变的微小缺陷点能衡量出其一定的深度尺寸范围；利用显微镜精密调焦对界面下一定深度处缺陷成像，可知缺陷点的位置深度。
2009, 21.
摘要:
结合快点火靶丸预压缩涉及的基本物理问题，分析了驱动激光脉冲波形对材料压缩过程的影响，并利用辐射流体力学程序MULTI模拟了不同激光波形下的材料压缩情况。结果表明:通过调节激光脉冲波形，优化激光初始强度、激光强度开始上升时间和上升速度，控制压缩过程中的熵增，可以获得更高的材料压缩度。
结合快点火靶丸预压缩涉及的基本物理问题，分析了驱动激光脉冲波形对材料压缩过程的影响，并利用辐射流体力学程序MULTI模拟了不同激光波形下的材料压缩情况。结果表明:通过调节激光脉冲波形，优化激光初始强度、激光强度开始上升时间和上升速度，控制压缩过程中的熵增，可以获得更高的材料压缩度。
2009, 21.
摘要:
冲击波压缩DT是ICF内爆过程中的主要熵增因素，如何用有限数目的时间整形冲击波实现近等熵压缩过程是优化点火靶设计的关键。利用理想气体和实际DT状态方程，计算系列冲击波压缩后的熵增和密度变化，分析表明,当第一个冲击波压强不大于0.1 TPa，后续再用3个冲击波达到10 TPa，总熵增不影响点火靶DT压缩性能,增加冲击波个数对DT熵增和压缩度改善效果很小。
冲击波压缩DT是ICF内爆过程中的主要熵增因素，如何用有限数目的时间整形冲击波实现近等熵压缩过程是优化点火靶设计的关键。利用理想气体和实际DT状态方程，计算系列冲击波压缩后的熵增和密度变化，分析表明,当第一个冲击波压强不大于0.1 TPa，后续再用3个冲击波达到10 TPa，总熵增不影响点火靶DT压缩性能,增加冲击波个数对DT熵增和压缩度改善效果很小。
2009, 21.
摘要:
研究了在多脉冲强激光辐照下靶材的热传导与热冲击特性。基于非傅里叶导热定律和热弹性理论，推导出多脉冲激光辐照下靶材温度场和热应力场的解析式；结合适当的边界条件，以不锈钢靶材为例，利用有限差分法和Matlab计算得到了多脉冲强激光辐照下靶材内部过余温度随时间和深度演化情况以及内部热应力的演化规律。计算结果表明：多脉冲激光辐照下靶材热响应在离边界不同截面处温度波形变化出现延迟性，其滞后性能与弛豫时间有关；非傅里叶解中应力波的波前十分陡峭，具有明显的热冲击性。
研究了在多脉冲强激光辐照下靶材的热传导与热冲击特性。基于非傅里叶导热定律和热弹性理论，推导出多脉冲激光辐照下靶材温度场和热应力场的解析式；结合适当的边界条件，以不锈钢靶材为例，利用有限差分法和Matlab计算得到了多脉冲强激光辐照下靶材内部过余温度随时间和深度演化情况以及内部热应力的演化规律。计算结果表明：多脉冲激光辐照下靶材热响应在离边界不同截面处温度波形变化出现延迟性，其滞后性能与弛豫时间有关；非傅里叶解中应力波的波前十分陡峭，具有明显的热冲击性。
2009, 21.
摘要:
角锥棱镜阵列具有溯源反射和准相位共轭两大特点，可在一定程度上补偿高平均功率固体激光器的热畸变。但由于这种角锥棱镜阵列自身的缺陷和由它构成的谐振腔输出激光模式众多的特点，限制了其在谐振腔中的应用。分析了角锥棱镜阵列谐振腔产生多模输出的原因，提出了采用腔内滤波的方法实现单模输出。理论模拟和实验研究结果表明：利用该方法可较好地改善阵列角锥棱镜谐振腔的输出特性，获得了近5倍衍射极限的输出。
角锥棱镜阵列具有溯源反射和准相位共轭两大特点，可在一定程度上补偿高平均功率固体激光器的热畸变。但由于这种角锥棱镜阵列自身的缺陷和由它构成的谐振腔输出激光模式众多的特点，限制了其在谐振腔中的应用。分析了角锥棱镜阵列谐振腔产生多模输出的原因，提出了采用腔内滤波的方法实现单模输出。理论模拟和实验研究结果表明：利用该方法可较好地改善阵列角锥棱镜谐振腔的输出特性，获得了近5倍衍射极限的输出。
2009, 21.
摘要:
搭建了一套激光诱导击穿光谱实验装置，并通过配置特定样品，开展了一系列激光诱导击穿光谱探测实验。根据含有不同质量分数的同种元素样品的激光诱导击穿光谱实验结果，获得元素质量分数与谱线强度的关系曲线(定标曲线)。对中南民族大学附近的土壤进行激光诱导击穿光谱实验，发现土壤中含有Mg,Ca,Na等18种元素，对河南云台山茱萸峰岩石的激光诱导击穿光谱实验结果仅获得Fe,Mg,Ca 3种金属元素。比较这2种实际样品的激光诱导击穿光谱结果表明，检测样品的物理结构影响激光诱导光谱的实验结果。
搭建了一套激光诱导击穿光谱实验装置，并通过配置特定样品，开展了一系列激光诱导击穿光谱探测实验。根据含有不同质量分数的同种元素样品的激光诱导击穿光谱实验结果，获得元素质量分数与谱线强度的关系曲线(定标曲线)。对中南民族大学附近的土壤进行激光诱导击穿光谱实验，发现土壤中含有Mg,Ca,Na等18种元素，对河南云台山茱萸峰岩石的激光诱导击穿光谱实验结果仅获得Fe,Mg,Ca 3种金属元素。比较这2种实际样品的激光诱导击穿光谱结果表明，检测样品的物理结构影响激光诱导光谱的实验结果。
2009, 21.
摘要:
为结合金属高比冲和聚合物工质高冲量耦合系数的优点，为激光推进光船优选工质，对掺入金属粉末的聚甲醛(POM)工质在CO2激光辐照下的推进性能开展了实验研究。结果表明：在一定的条件下金属粉末能提高工质的推进性能。掺入微米铝粉的聚甲醛工质的冲量耦合系数最大值由12×-5 N/W提高到21.72×10-5 N/W，在直筒结构的约束下，最高冲量耦合系数和比冲分别提高到61.64×-5 N/W和727.32 s，能量利用率超过了100%，表明工质参与了化学反应。
为结合金属高比冲和聚合物工质高冲量耦合系数的优点，为激光推进光船优选工质，对掺入金属粉末的聚甲醛(POM)工质在CO2激光辐照下的推进性能开展了实验研究。结果表明：在一定的条件下金属粉末能提高工质的推进性能。掺入微米铝粉的聚甲醛工质的冲量耦合系数最大值由12×-5 N/W提高到21.72×10-5 N/W，在直筒结构的约束下，最高冲量耦合系数和比冲分别提高到61.64×-5 N/W和727.32 s，能量利用率超过了100%，表明工质参与了化学反应。
2009, 21.
摘要:
利用数值模拟方法对TRIP型喷管扰流气分别为纯氦气与添加氘气的光腔流场进行了数值模拟。结果显示：扰流气的注入显著增强了气流混合，光腔内静温静压有明显上升，谱线小信号增益系数峰值增大且位置向上游移动，但下游区域下降更迅速，很快出现强吸收区。氘气的加入在主喷管内将产生少量反应，并未对主气流产生明显影响，相对于纯氦气注入情况，谱线小信号增益系数在上游段增长更快，峰值大小基本一致。
利用数值模拟方法对TRIP型喷管扰流气分别为纯氦气与添加氘气的光腔流场进行了数值模拟。结果显示：扰流气的注入显著增强了气流混合，光腔内静温静压有明显上升，谱线小信号增益系数峰值增大且位置向上游移动，但下游区域下降更迅速，很快出现强吸收区。氘气的加入在主喷管内将产生少量反应，并未对主气流产生明显影响，相对于纯氦气注入情况，谱线小信号增益系数在上游段增长更快，峰值大小基本一致。
2009, 21.
摘要:
对一种由弱变和强变结构组成的锥形磁绝缘线振荡器的频率特性进行了分析。通过对实验中出现的跳频现象和腔体特性分析对比研究表明，跳频后出现的新的工作模式也属于近π模，但其场结构和稳定π模的场结构明显不同。通过改变提取部分慢波叶片周期开展的验证性实验也表明了分析的正确性。研究表明，匹配的驱动平台、良好的二极管真空度以及合适的二极管位置是锥形磁绝缘线振荡器能够稳定运行的保证。
对一种由弱变和强变结构组成的锥形磁绝缘线振荡器的频率特性进行了分析。通过对实验中出现的跳频现象和腔体特性分析对比研究表明，跳频后出现的新的工作模式也属于近π模，但其场结构和稳定π模的场结构明显不同。通过改变提取部分慢波叶片周期开展的验证性实验也表明了分析的正确性。研究表明，匹配的驱动平台、良好的二极管真空度以及合适的二极管位置是锥形磁绝缘线振荡器能够稳定运行的保证。
2009, 21.
摘要:
从负折射率媒质的本构关系出发，应用分段线性递推卷积(PLRC)方法推导出负折射率媒质中的时域有限差分（FDTD）计算公式,建立了基于分段线性递推卷积的FDTD方法(PLRC-FDTD)。并应用该方法计算了负折射率媒质覆盖导体柱的雷达散射截面，分析了负折射率媒质参数对其雷达散射截面的影响。结果表明，恰当地选择负折射率媒质参数能有效减小目标的雷达散射截面。
从负折射率媒质的本构关系出发，应用分段线性递推卷积(PLRC)方法推导出负折射率媒质中的时域有限差分（FDTD）计算公式,建立了基于分段线性递推卷积的FDTD方法(PLRC-FDTD)。并应用该方法计算了负折射率媒质覆盖导体柱的雷达散射截面，分析了负折射率媒质参数对其雷达散射截面的影响。结果表明，恰当地选择负折射率媒质参数能有效减小目标的雷达散射截面。
2009, 21.
摘要:
结合箔聚焦和静电线聚焦的特点，对箔聚焦强流相对论环形电子束在同轴波导中的传输进行了研究。通过数值求解电势满足的泊松方程，得到电势、电场分布及系统的空间电荷限制流，并根据电子的运动方程得到包络电子的平衡条件及其运动轨迹。
结合箔聚焦和静电线聚焦的特点，对箔聚焦强流相对论环形电子束在同轴波导中的传输进行了研究。通过数值求解电势满足的泊松方程，得到电势、电场分布及系统的空间电荷限制流，并根据电子的运动方程得到包络电子的平衡条件及其运动轨迹。
2009, 21.
摘要:
建立了带输入、输出波导结构的C波段相对论速调管放大器3维整管模型，利用3维软件对其高频特性进行了数值计算研究，对整管结构进行了优化设计。并用3维PIC程序对电子束经过输入腔后的束流调制、注入微波的吸收情况、中间腔对束流的调制以及输出腔后微波提取情况进行了模拟研究。模拟结果表明：输入腔与微波注入波导匹配较好，注入微波能被电子束和谐振腔很好吸收，在输入腔间隙后20 cm处得到了11%的基波电流调制深度；在中间腔后15 cm处得到了约76%的基波电流调制深度；在中间腔后电流调制最强处加上输出腔，提取到800 MW的输出微波，效率26%。
建立了带输入、输出波导结构的C波段相对论速调管放大器3维整管模型，利用3维软件对其高频特性进行了数值计算研究，对整管结构进行了优化设计。并用3维PIC程序对电子束经过输入腔后的束流调制、注入微波的吸收情况、中间腔对束流的调制以及输出腔后微波提取情况进行了模拟研究。模拟结果表明：输入腔与微波注入波导匹配较好，注入微波能被电子束和谐振腔很好吸收，在输入腔间隙后20 cm处得到了11%的基波电流调制深度；在中间腔后15 cm处得到了约76%的基波电流调制深度；在中间腔后电流调制最强处加上输出腔，提取到800 MW的输出微波，效率26%。
2009, 21.
摘要:
建立了磁绝缘线振荡器自磁绝缘的理论模型，给出了磁绝缘电流计算公式。然后给出了非线性稳态的最大轮辐电流计算公式，并据此分析了负载限制型磁绝缘线振荡器的最大效率。提出一种新型的端面发射型磁绝缘线振荡器，在二极管电压590 kV,二极管电流为55.47 kA情况下，粒子模拟得到周期平均功率6.1 GW左右，工作主频为1.24 GHz，束波转换效率18.64%左右。端面发射型磁绝缘线振荡器的效率比负载限制型磁绝缘线振荡器的最大效率提高6%左右。端面发射的电流不参与束波互作用，由于端面发射的电流比较小，在总电流不变的情况下参与束波互作用的电流增多，从而提高了效率。最后分析了角向磁场的分布以及自磁绝缘的情况。
建立了磁绝缘线振荡器自磁绝缘的理论模型，给出了磁绝缘电流计算公式。然后给出了非线性稳态的最大轮辐电流计算公式，并据此分析了负载限制型磁绝缘线振荡器的最大效率。提出一种新型的端面发射型磁绝缘线振荡器，在二极管电压590 kV,二极管电流为55.47 kA情况下，粒子模拟得到周期平均功率6.1 GW左右，工作主频为1.24 GHz，束波转换效率18.64%左右。端面发射型磁绝缘线振荡器的效率比负载限制型磁绝缘线振荡器的最大效率提高6%左右。端面发射的电流不参与束波互作用，由于端面发射的电流比较小，在总电流不变的情况下参与束波互作用的电流增多，从而提高了效率。最后分析了角向磁场的分布以及自磁绝缘的情况。
2009, 21.
摘要:
利用理论分析和数值计算的方法研究了矩形波导内均匀电流密度的带状电子束模型的空间电荷场，给出了该带状电子束模型的空间电荷场的解析表达式，并研究了空间电荷场随带状电子束的几何参数和物理参数的变化规律。研究表明：在不改变电流密度的前提下，更宽的电子束可以传输更强的束流，而空间电荷场并不随束宽度的增大而增大，但是增加电子束厚度会使空间电荷场显著增强，从而不利于高流强电子束的传输；对于相同电流的带状电子束，保持电子束厚度不变，增大电子束宽度，相应地降低电流密度是降低空间电荷场的一个很好的途径，而保持电子束的宽度不变，增大束厚度，相应地降低电流密度只会使沿着电子束截面宽度方向的电场减小，而沿着电子束截面厚度方向的电场基本不变；对于相同电流和电流密度的带状电子束，更宽、更薄的电子束横截面尺寸能使沿着电子束截面宽度方向的电场降到更低，而沿着电子束截面厚度方向的电场只是略有减小。
利用理论分析和数值计算的方法研究了矩形波导内均匀电流密度的带状电子束模型的空间电荷场，给出了该带状电子束模型的空间电荷场的解析表达式，并研究了空间电荷场随带状电子束的几何参数和物理参数的变化规律。研究表明：在不改变电流密度的前提下，更宽的电子束可以传输更强的束流，而空间电荷场并不随束宽度的增大而增大，但是增加电子束厚度会使空间电荷场显著增强，从而不利于高流强电子束的传输；对于相同电流的带状电子束，保持电子束厚度不变，增大电子束宽度，相应地降低电流密度是降低空间电荷场的一个很好的途径，而保持电子束的宽度不变，增大束厚度，相应地降低电流密度只会使沿着电子束截面宽度方向的电场减小，而沿着电子束截面厚度方向的电场基本不变；对于相同电流和电流密度的带状电子束，更宽、更薄的电子束横截面尺寸能使沿着电子束截面宽度方向的电场降到更低，而沿着电子束截面厚度方向的电场只是略有减小。
2009, 21.
摘要:
设计了一种紧凑型、GW级同轴引出电子束相对论返波振荡器，利用KARAT 2.5维全电磁粒子模拟程序研究了器件内部束波作用的物理过程。模拟结果表明：当器件中使用内导体，在电子束能量700 keV，电子束流11 kA，导引磁场为1.0 T时，能实现L波段2.66 GW高功率微波输出，平均效率约为34%；去掉内导体时，能实现S波段1.88 GW单频微波输出，平均效率约为24%。同一个器件，仅通过装卸内导体就可以选择在两个波段实现GW级、高效微波输出，这对于高功率微波器件的设计有一定的参考意义。
设计了一种紧凑型、GW级同轴引出电子束相对论返波振荡器，利用KARAT 2.5维全电磁粒子模拟程序研究了器件内部束波作用的物理过程。模拟结果表明：当器件中使用内导体，在电子束能量700 keV，电子束流11 kA，导引磁场为1.0 T时，能实现L波段2.66 GW高功率微波输出，平均效率约为34%；去掉内导体时，能实现S波段1.88 GW单频微波输出，平均效率约为24%。同一个器件，仅通过装卸内导体就可以选择在两个波段实现GW级、高效微波输出，这对于高功率微波器件的设计有一定的参考意义。
2009, 21.
摘要:
Mini-LIA为MHz重复频率双脉冲电子直线感应加速器，由双脉冲功率系统、热阴极电子枪注入器及金属玻璃磁芯感应加速腔等组成。在此平台的实验获得了数百ns间隔（即MHz重复频率）的双脉冲高压，每个脉冲幅值达到80 kV，脉冲半高全宽为80 ns；在感应腔加速间隙处测得双脉冲加速电场；在加速器出口处测量得到流强约1.1 A的双脉冲电子束流。实验结果表明：利用硅堆隔离汇流装置可实现MHz重复频率的双脉冲高压，金属玻璃磁芯感应加速腔和六硼化镧热阴极电子枪均适合MHz重复频率双脉冲工作方式。
Mini-LIA为MHz重复频率双脉冲电子直线感应加速器，由双脉冲功率系统、热阴极电子枪注入器及金属玻璃磁芯感应加速腔等组成。在此平台的实验获得了数百ns间隔（即MHz重复频率）的双脉冲高压，每个脉冲幅值达到80 kV，脉冲半高全宽为80 ns；在感应腔加速间隙处测得双脉冲加速电场；在加速器出口处测量得到流强约1.1 A的双脉冲电子束流。实验结果表明：利用硅堆隔离汇流装置可实现MHz重复频率的双脉冲高压，金属玻璃磁芯感应加速腔和六硼化镧热阴极电子枪均适合MHz重复频率双脉冲工作方式。
2009, 21.
摘要:
针对特定实验站调整光源点位置的要求，设计了合肥光源储存环束流闭轨局部调整和校正系统，介绍了该系统的工作原理、硬件组成、软件设计及运行结果，设计要求束流闭轨局部调整的最大幅度为1~2 mm，水平方向和垂直方向其余闭轨畸变均方根分别小于50和30 μm。校正系统采用轨道设定法作为束流闭轨局部调整和校正算法，由束流轨道测量系统、校正铁系统和控制系统组成。运行结果显示：水平和垂直方向分别调节2.0和1.5 mm，水平方向和垂直方向其余闭轨畸变均方根分别为45.14和27.62 μm。
针对特定实验站调整光源点位置的要求，设计了合肥光源储存环束流闭轨局部调整和校正系统，介绍了该系统的工作原理、硬件组成、软件设计及运行结果，设计要求束流闭轨局部调整的最大幅度为1~2 mm，水平方向和垂直方向其余闭轨畸变均方根分别小于50和30 μm。校正系统采用轨道设定法作为束流闭轨局部调整和校正算法，由束流轨道测量系统、校正铁系统和控制系统组成。运行结果显示：水平和垂直方向分别调节2.0和1.5 mm，水平方向和垂直方向其余闭轨畸变均方根分别为45.14和27.62 μm。
2009, 21.
摘要:
根据高功率微波源相互作用腔结构，建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法，计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律，分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明：高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应；二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系，且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多，这与理论分析的结果一致。
根据高功率微波源相互作用腔结构，建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法，计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律，分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明：高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应；二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系，且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多，这与理论分析的结果一致。
2009, 21.
摘要:
讨论并参考了冷却储存环目前使用的专用微控制器的特点和其对微控制器的需求，采用可编程技术和Nios-Ⅱ处理器，在altera-cycloneII2c35f484芯片内实现可重构微控制器。该微控制器硬件资源消耗少，最大工作频率可达185 MHz，可代替目前在监控系统中大量使用的专用微控制器芯片，减小硬件设计复杂度、节约成本。
讨论并参考了冷却储存环目前使用的专用微控制器的特点和其对微控制器的需求，采用可编程技术和Nios-Ⅱ处理器，在altera-cycloneII2c35f484芯片内实现可重构微控制器。该微控制器硬件资源消耗少，最大工作频率可达185 MHz，可代替目前在监控系统中大量使用的专用微控制器芯片，减小硬件设计复杂度、节约成本。
2009, 21.
摘要:
应用小角X射线散射(SAXS)技术，对乙二醇合成法、浸渍还原法和微波加热法制备的Pt/C催化剂粉体内纳米Pt颗粒的团聚效应进行了研究,得到了不同方法制备的Pt颗粒及其团聚体的特征尺寸、体积分布、表面积变化、团聚程度等信息,并利用透射电镜（TEM）对3种样品进行了测试。实验结果表明:微波加热法制备的催化剂中，Pt颗粒较好地分散于C载体上，且Pt颗粒具有尺度小、分布范围窄、总表面积大和团聚体较少等特征;常规浸渍和乙二醇还原两种方法制备的催化剂中Pt颗粒大小分布相似，但乙二醇还原法制备的催化剂总表面积和团聚体尺度更大,数量也更多。
应用小角X射线散射(SAXS)技术，对乙二醇合成法、浸渍还原法和微波加热法制备的Pt/C催化剂粉体内纳米Pt颗粒的团聚效应进行了研究,得到了不同方法制备的Pt颗粒及其团聚体的特征尺寸、体积分布、表面积变化、团聚程度等信息,并利用透射电镜（TEM）对3种样品进行了测试。实验结果表明:微波加热法制备的催化剂中，Pt颗粒较好地分散于C载体上，且Pt颗粒具有尺度小、分布范围窄、总表面积大和团聚体较少等特征;常规浸渍和乙二醇还原两种方法制备的催化剂中Pt颗粒大小分布相似，但乙二醇还原法制备的催化剂总表面积和团聚体尺度更大,数量也更多。
2009, 21.
摘要:
采用3维时域有限差分方法和完全匹配吸收层，模拟了长方体缺陷在熔石英前后表面时对入射激光为TM波的调制作用，绘出了截面上的电场强度分布及最大电场强度随熔石英深度变化的曲线，并进行了比较和分析。结果表明：缺陷在前表面上时，后表面附近的最大电场强度2.522 41 V/m大于缺陷附近的1958 83 V/m；缺陷在后表面上时，材料中的最大电场强度为2.799 38 V/m，且出现在后表面附近。无论该缺陷在前表面还是在后表面，最大电场强度都是出现在后表面附近，表明光学材料的后表面在一定程度上更容易被损伤。
采用3维时域有限差分方法和完全匹配吸收层，模拟了长方体缺陷在熔石英前后表面时对入射激光为TM波的调制作用，绘出了截面上的电场强度分布及最大电场强度随熔石英深度变化的曲线，并进行了比较和分析。结果表明：缺陷在前表面上时，后表面附近的最大电场强度2.522 41 V/m大于缺陷附近的1958 83 V/m；缺陷在后表面上时，材料中的最大电场强度为2.799 38 V/m，且出现在后表面附近。无论该缺陷在前表面还是在后表面，最大电场强度都是出现在后表面附近，表明光学材料的后表面在一定程度上更容易被损伤。
2009, 21.
摘要:
分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题，利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜，制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-Al复合牺牲层，并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明：ZnO-Al复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题，所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌，其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求，说明ZnO-Al复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲层的理想材料。
分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题，利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜，制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-Al复合牺牲层，并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明：ZnO-Al复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题，所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌，其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求，说明ZnO-Al复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲层的理想材料。
2009, 21.
摘要:
利用高温熔融法制备了不同浓度的Tb3+掺杂硅酸盐玻璃，并分别测量了紫外和X射线激发时的发射光谱。光谱结果表明，不同浓度Tb3+掺杂硅酸盐玻璃在紫外和X射线激发时发光行为具有相似的浓度依赖关系：低浓度Tb4O7掺杂时主要以蓝光(5D3→7FJ)发射为主，而高浓度掺杂时以绿光(5D4→7FJ)发射为主。Tb3+发光强度与掺杂浓度的关系分析表明，5D3的浓度猝灭是电偶极-电偶极相互作用引起的, 而5D4的浓度猝灭是交换相互作用引起的。
利用高温熔融法制备了不同浓度的Tb3+掺杂硅酸盐玻璃，并分别测量了紫外和X射线激发时的发射光谱。光谱结果表明，不同浓度Tb3+掺杂硅酸盐玻璃在紫外和X射线激发时发光行为具有相似的浓度依赖关系：低浓度Tb4O7掺杂时主要以蓝光(5D3→7FJ)发射为主，而高浓度掺杂时以绿光(5D4→7FJ)发射为主。Tb3+发光强度与掺杂浓度的关系分析表明，5D3的浓度猝灭是电偶极-电偶极相互作用引起的, 而5D4的浓度猝灭是交换相互作用引起的。
2009, 21.
摘要:
为了检验应用在极紫外波段空间太阳望远镜上Al滤光片在空间辐照环境下透过率的变化情况，用能量100 keV，剂量为6×1011/mm2的质子束对其进行辐照，利用透射电子显微镜分析了质子辐照前后滤光片的微观结构。实验结果表明:由于质子辐照使滤光片受质子侵蚀后，Al原子被击出发生质量损失，表面形态发生了变化，造成滤光片变薄，从而导致透过率由辐照前的12.1%增大到15.0%，且滤光片的薄厚分布不均匀使透过率曲线出现了次级峰，造成其光学性能的退化。
为了检验应用在极紫外波段空间太阳望远镜上Al滤光片在空间辐照环境下透过率的变化情况，用能量100 keV，剂量为6×1011/mm2的质子束对其进行辐照，利用透射电子显微镜分析了质子辐照前后滤光片的微观结构。实验结果表明:由于质子辐照使滤光片受质子侵蚀后，Al原子被击出发生质量损失，表面形态发生了变化，造成滤光片变薄，从而导致透过率由辐照前的12.1%增大到15.0%，且滤光片的薄厚分布不均匀使透过率曲线出现了次级峰，造成其光学性能的退化。
2009, 21.
摘要:
利用时域有限差分法求解麦克斯韦旋度方程，研究了光学材料表面缺陷对入射激光场的调制作用，建立了亚表面缺陷的3维模型。以长方体表面缺陷为例，对缺陷附近的光场分布进行了3维数值计算，给出了电场强度3维分布图和缺陷不同尺寸时的最大电场强度。研究表明，相对于2维简化情况，3维表面缺陷对强激光电磁场的调制作用更加明显。
利用时域有限差分法求解麦克斯韦旋度方程，研究了光学材料表面缺陷对入射激光场的调制作用，建立了亚表面缺陷的3维模型。以长方体表面缺陷为例，对缺陷附近的光场分布进行了3维数值计算，给出了电场强度3维分布图和缺陷不同尺寸时的最大电场强度。研究表明，相对于2维简化情况，3维表面缺陷对强激光电磁场的调制作用更加明显。
2009, 21.
摘要:
针对电磁脉冲辐射场试验的特点和参试电子设备对辐射场试验的需求，介绍了利用辐射波电磁脉冲模拟器进行效应试验过程中，总触发信号、环境场监测信号等的选取原则及获取方法。结合电磁脉冲孔缝耦合效应和穿透耦合效应，分析了试验状态设置在辐射场试验中的重要性。测量结果表明：所给出的总触发信号具有信号稳定、幅值大、到达时刻可以精确计算的特点，适合作为触发信号，用于记录设备的触发；所给出的环境场监测信号具有波形特性好、幅值适中、易于读数等特点，适合作为基准波形，用于对环境场变化的监测和归一化处理。
针对电磁脉冲辐射场试验的特点和参试电子设备对辐射场试验的需求，介绍了利用辐射波电磁脉冲模拟器进行效应试验过程中，总触发信号、环境场监测信号等的选取原则及获取方法。结合电磁脉冲孔缝耦合效应和穿透耦合效应，分析了试验状态设置在辐射场试验中的重要性。测量结果表明：所给出的总触发信号具有信号稳定、幅值大、到达时刻可以精确计算的特点，适合作为触发信号，用于记录设备的触发；所给出的环境场监测信号具有波形特性好、幅值适中、易于读数等特点，适合作为基准波形，用于对环境场变化的监测和归一化处理。
2009, 21.
摘要:
为研究Tesla变压器耦合系数与各参量的关系，采用静磁场分析方法，从柱坐标系磁场Laplace方程出发，推导出磁场级数表达式的系数矩阵方程组，计算出磁芯磁场的轴向分布和间隙磁场的轴向、径向分布。引入了一种平均耦合系数概念——次级绕组每匝线圈具有独立的耦合系数，用全部单匝耦合系数的平均值作为Tesla变压器的耦合系数。重点研究了平均耦合系数与磁芯纵横比、半径比、初级绕组-磁芯长度比、磁芯材料磁导率的相对变化关系。结果表明:增大纵横比、减小半径比是提高Tesla变压器耦合系数的有效方法；增大磁芯材料的磁导率可提高耦合系数，但效果随磁导率增大而降低；初级绕组长度与磁芯长度之比约为0.7时，耦合系数达到最大值。
为研究Tesla变压器耦合系数与各参量的关系，采用静磁场分析方法，从柱坐标系磁场Laplace方程出发，推导出磁场级数表达式的系数矩阵方程组，计算出磁芯磁场的轴向分布和间隙磁场的轴向、径向分布。引入了一种平均耦合系数概念——次级绕组每匝线圈具有独立的耦合系数，用全部单匝耦合系数的平均值作为Tesla变压器的耦合系数。重点研究了平均耦合系数与磁芯纵横比、半径比、初级绕组-磁芯长度比、磁芯材料磁导率的相对变化关系。结果表明:增大纵横比、减小半径比是提高Tesla变压器耦合系数的有效方法；增大磁芯材料的磁导率可提高耦合系数，但效果随磁导率增大而降低；初级绕组长度与磁芯长度之比约为0.7时，耦合系数达到最大值。
2009, 21.
摘要:
对采用盘状触发电极的新型触发管开关的触发特性进行了实验研究,得到不同极性组合、不同触发电压幅值和不同触发电流条件下开关的触发特性实验结果。实验结果表明:新型触发管开关获得最佳触发特性所需的极性组合应为异极性组合，触发电压幅值范围为自击穿电压的30%~50%，为兼顾触发电流和保护触发器，触发电阻值应为50~100 Ω，验证了触发管开关击穿机制的已有认识。
对采用盘状触发电极的新型触发管开关的触发特性进行了实验研究,得到不同极性组合、不同触发电压幅值和不同触发电流条件下开关的触发特性实验结果。实验结果表明:新型触发管开关获得最佳触发特性所需的极性组合应为异极性组合，触发电压幅值范围为自击穿电压的30%~50%，为兼顾触发电流和保护触发器，触发电阻值应为50~100 Ω，验证了触发管开关击穿机制的已有认识。
2009, 21.
摘要:
两电极开关取消了触发电极，需要靠过压触发，要求触发电压的幅值高，上升前沿快。为了满足两电极大电流气体开关对触发电压的特殊要求，介绍了一种用Marx作触发器的触发系统。该系统由8级Marx发生器构成，由电源开关、隔离变压器、L-C充电电路、采样控制电路、光纤控制电路和触发电路组成。Marx发生器采用了低电感电容器和同轴结构布局，减小了电感，触发电压达到120 kV，上升沿小于30 ns。对触发系统建立了PSpice电路模拟，仿真波形与实测波形基本一致。将该触发装置用于200 kA大电流气体开关试验，试验结果表明该触发装置能稳定触发气体开关，操作安全可靠。
两电极开关取消了触发电极，需要靠过压触发，要求触发电压的幅值高，上升前沿快。为了满足两电极大电流气体开关对触发电压的特殊要求，介绍了一种用Marx作触发器的触发系统。该系统由8级Marx发生器构成，由电源开关、隔离变压器、L-C充电电路、采样控制电路、光纤控制电路和触发电路组成。Marx发生器采用了低电感电容器和同轴结构布局，减小了电感，触发电压达到120 kV，上升沿小于30 ns。对触发系统建立了PSpice电路模拟，仿真波形与实测波形基本一致。将该触发装置用于200 kA大电流气体开关试验，试验结果表明该触发装置能稳定触发气体开关，操作安全可靠。
2009, 21.
摘要:
讨论了一种低阻抗、高储能密度、可输出中等高压的百ns脉冲形成技术，其输出波形质量较好；采用磁感应电压叠加技术将该脉冲形成装置输出的中等高压脉冲叠加到应用需求的高电压高功率脉冲。研究表明单个感应模块可在2.8 Ω的负载上获得脉冲宽度为220 ns，前沿为50 ns的中等高压脉冲。
讨论了一种低阻抗、高储能密度、可输出中等高压的百ns脉冲形成技术，其输出波形质量较好；采用磁感应电压叠加技术将该脉冲形成装置输出的中等高压脉冲叠加到应用需求的高电压高功率脉冲。研究表明单个感应模块可在2.8 Ω的负载上获得脉冲宽度为220 ns，前沿为50 ns的中等高压脉冲。
