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D波段功率放大器设计

刘杰,  张健,  蒋均,  田遥岭,  邓贤进

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文章导航 > 强激光与粒子束  > 2016 >  28(02): 023102
谢平, 廖勇, 徐刚. 超宽带折线型TEM喇叭天线实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 103229. doi: 10.11884/HPLPB201527.103229
引用本文: 刘杰, 张健, 蒋均, 等. D波段功率放大器设计[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
shu
Xie Ping, Liao Yong, Xu Gang. Experimental research of ultra-wideband curving TEM horn antenna[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 103229. doi: 10.11884/HPLPB201527.103229
Citation: Liu Jie, Zhang Jian, Jiang Jun, et al. Design of D-band power amplifier[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 023102. doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
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D波段功率放大器设计

doi: 10.11884/HPLPB201628.023102
  • 1.

    中国工程物理研究院 电子工程研究所, 微系统与太赫兹中心, 四川 绵阳 621 900

详细信息
    通讯作者:

    刘杰

Design of D-band power amplifier

  • 1.

    Microsystem and Terahertz Research Center,Institute of Electronic Engineering,CAEP,Mianyang 621900,China

摘要

    摘要
  • 摘要: 基于0.13 m SiGe BiCMOS工艺, 研究和设计了一种D波段功率放大器芯片。该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成。功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构。低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能, 又能对输入输出进行阻抗匹配。对电路结构进行了设计、流片验证和测试。采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块。小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125~150 GHz, 最高增益在131 GHz为21 dB, 最低增益在150 GHz为17 dB, 通带内S22小于-7 dB, S11小于-10 dB。大信号测试结果表明：该功放模块在128~146 GHz带内输出功率都大于13 dBm, 在139 GHz时, 具有最高输出功率为13.6 dBm, 且1 dB压缩功率为12.9 dBm。
    Abstract: This paper presents D-band SiGe power amplifier(PA) developed by using the 0.13 m SiGe BiCMOS technology. Building blocks of a 4-way amplifier are implemented using three-stage cascode power amplifier units, and T-junction networks are used for power combining and splitting. The PA chip works in 125-150 GHz, and achieves a small-signal biggest gain of 21 dB at 131 GHz, with a small-signal lowest gain of 17 dB at 150 GHz. The PA module exhibits a saturated output power of 13.6 dBm and an output 1 dB gain compression power of 12.9 dBm at 139 GHz.
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  • 期刊类型引用(1)

    1. 张合，戴可人. 先进引信技术的发展与展望. 科学通报. 2023(25): 3293-3310 . 百度学术

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-04
  • 修回日期:  2015-11-02
  • 刊出日期:  2016-02-15

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