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基于统计学模型的真空绝缘堆闪络概率计算分析

李逢 蒋吉昊 王勐 杨尊

赖莉萍, 罗福, 张蓉竹. CMOS阵列响应过程中的电串扰特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 061019. doi: 10.11884/HPLPB201527.061019
引用本文: 李逢, 蒋吉昊, 王勐, 等. 基于统计学模型的真空绝缘堆闪络概率计算分析[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 045006. doi: 10.11884/HPLPB201628.125006
Lai Liping, Luo Fu, Zhang Rongzhu. Research on electrical crosstalk of CMOS array[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 061019. doi: 10.11884/HPLPB201527.061019
Citation: Li Feng, Jiang Jihao, Wang Meng, et al. Analysis of vacuum insulator stack flashover probability with statistical model[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 045006. doi: 10.11884/HPLPB201628.125006

基于统计学模型的真空绝缘堆闪络概率计算分析

doi: 10.11884/HPLPB201628.125006
详细信息
    通讯作者:

    李逢

Analysis of vacuum insulator stack flashover probability with statistical model

  • 摘要: 对比了几种不同类型的过电压因子下绝缘堆闪络概率的特点, 考虑了多层均压及圆周渡越时间后得到的闪络概率更能反映绝缘堆耐压水平;简化计算统计学经验公式中矩阵可保持绝缘堆闪络概率计算值准确性并减少过电压因子的静电场计算次数。分析在固定间隙距离下绝缘环个数与电压峰值及电场强度峰值的关系, 计算结果表明:存在最优绝缘环个数承受最高电压峰值与电场强度, 承受最大工作场强的绝缘环个数下, 工作电压幅值已降低很多。在选择绝缘环个数时应综合考虑, 该计算方法可应用于工程绝缘结构设计中合理选取绝缘环个数。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-06
  • 修回日期:  2015-11-18
  • 刊出日期:  2016-04-15

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