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微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究

王泽卫 叶鸣 陈亮 贺永宁 崔万照 张忠兵

王泽卫, 叶鸣, 陈亮, 等. 微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 124002. doi: 10.11884/HPLPB201628.160079
引用本文: 王泽卫, 叶鸣, 陈亮, 等. 微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 124002. doi: 10.11884/HPLPB201628.160079
Wang Zewei, Ye Ming, Chen Liang, et al. Study on secondary electron yield suppression of copper by micro-hole array[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 124002. doi: 10.11884/HPLPB201628.160079
Citation: Wang Zewei, Ye Ming, Chen Liang, et al. Study on secondary electron yield suppression of copper by micro-hole array[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 124002. doi: 10.11884/HPLPB201628.160079

微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究

doi: 10.11884/HPLPB201628.160079

Study on secondary electron yield suppression of copper by micro-hole array

  • 摘要: 针对微孔阵列对铜表面二次电子发射系数(SEY)的抑制效应进行实验研究以提高电真空器件性能。首先利用Casino软件模拟了入射能量分别为0.5 keV和3 keV的电子束垂直入射到方形微孔阵列表面的SEY,分析了方孔阵列的深宽比和孔隙率对本征二次电子发射系数(ISEY)、背散射二次电子发射系数(BSEY)及总二次电子发射系数(TSEY)的影响。然后采用半导体光刻工艺在铜箔表面制备具有不同形貌参数的圆孔阵列,采用激光扫描显微镜进行形貌分析和几何结构参数提取,采用二次电子测试平台进行TSEY测试。仿真结果表明:微孔阵列的深宽比、孔隙率越大,其SEY抑制特性越明显;随着微孔阵列深宽比逐渐增大,SEY逐渐趋于饱和;入射电子束能量较低时,微孔阵列对SEY抑制效应比入射能量较高时更为明显。实验结果表明:微孔阵列能有效抑制铜表面SEY,实测结果与仿真结果规律一致,为微孔阵列结构用于铜表面SEY抑制提供了依据。
  • 期刊类型引用(6)

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    2. 张雨婷,杨晶,杨兆伦,苗光辉,张娜,崔万照. 钼的二次电子发射特性研究. 稀有金属材料与工程. 2024(02): 465-473 . 百度学术
    3. 邓晨晖,韩立,王岩,高召顺,牛耕. 二次电子产额影响因素的研究进展. 材料导报. 2023(24): 18-27 . 百度学术
    4. 金雪莲,吴雪梅,诸葛兰剑,金成刚. 抑制二次电子发射方法的研究. 材料导报. 2021(07): 7176-7182 . 百度学术
    5. 冯鹏,叶鸣,李韵,王丹,贺永宁. 模拟分析随机粗糙金属表面的二次电子发射特性. 空间电子技术. 2018(01): 17-20+24 . 百度学术
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-04-13
  • 修回日期:  2016-06-07
  • 刊出日期:  2016-12-15

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