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新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证

赵俊武 高杨 雷强

赵俊武, 高杨, 雷强. 新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 104101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160108
引用本文: 赵俊武, 高杨, 雷强. 新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 104101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160108
Zhao Junwu, Gao Yang, Lei Qiang. Novel carbon-doped oxide-FBAR structure and its simulation verification[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 104101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160108
Citation: Zhao Junwu, Gao Yang, Lei Qiang. Novel carbon-doped oxide-FBAR structure and its simulation verification[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 104101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160108

新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证

doi: 10.11884/HPLPB201628.160108

Novel carbon-doped oxide-FBAR structure and its simulation verification

  • 摘要: 一定厚度的低声阻抗支撑层可以在薄膜体声波谐振器(FBAR)与衬底之间形成声学隔离层,防止声波泄漏到衬底当中。掺碳二氧化硅(CDO)是一种低声阻抗材料,对FBAR具有较好的温度补偿效果,可以作为FBAR与衬底之间的声学隔离层,从而构成一种新型的CDO-FBAR。为了分析CDO-FBAR与通孔型FBAR相比性能是否退化,以及CDO声学隔离层所需厚度,采用多物理场耦合仿真软件分析了CDO-FBAR和通孔型FBAR的谐振频率、Q值、有效机电耦合系数和S参数,并提取了CDO-FBAR纵向振动位移。分析结果表明:CDO-FBAR的谐振频率整体向下漂移;CDO声学隔离层导致S参数的寄生干扰;由于声学损耗增加,Q值略有降低,其中并联谐振点处的Q值降幅更大;有效机电耦合系数略有降低;声波传播到声学隔离层中9 m处就完全衰减,即只需要9 m厚的CDO声学隔离层就能在FBAR与衬底之间形成有效的声学隔离。由此,仿真验证了这种新颖的CDO-FBAR结构的可行性。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-04-11
  • 修回日期:  2016-05-17
  • 刊出日期:  2016-10-15

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