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基于场效应管与阶跃恢复二极管的皮秒级脉冲源设计

张岩松 张亚东 梁步阁 何继爱

赖莉萍, 罗福, 张蓉竹. CMOS阵列响应过程中的电串扰特性研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 061019. doi: 10.11884/HPLPB201527.061019
引用本文: 张岩松, 张亚东, 梁步阁, 等. 基于场效应管与阶跃恢复二极管的皮秒级脉冲源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 045001. doi: 10.11884/HPLPB201729.160442
Lai Liping, Luo Fu, Zhang Rongzhu. Research on electrical crosstalk of CMOS array[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 061019. doi: 10.11884/HPLPB201527.061019
Citation: Zhang Yansong, Zhang Yadong, Liang Buge, et al. Design of picosecond pulse source based on MOSFET and step recovery diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 045001. doi: 10.11884/HPLPB201729.160442

基于场效应管与阶跃恢复二极管的皮秒级脉冲源设计

doi: 10.11884/HPLPB201729.160442
详细信息
    通讯作者:

    张亚东

Design of picosecond pulse source based on MOSFET and step recovery diode

  • 摘要: 针对已有脉冲源无法兼顾脉冲宽度和幅值的现象,提出一种基于场效应管(MOSFET)和阶跃恢复二极管(SRD)相结合的皮秒级脉冲源设计方案。通过研究分析传统的几种脉冲源的设计方案,设计出一种百伏级的高重频皮秒级脉冲发生器,在PSPICE上对设计方案进行仿真并制作出脉冲源PCB板,实测在2 MHz的重频下产生半幅脉宽约为400 ps、幅度110 V以上的极窄脉冲,波形稳定,为高分辨的超宽带探测雷达发射机的设计提供了新的选择方案。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-09-05
  • 修回日期:  2016-12-13
  • 刊出日期:  2017-04-15

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