Characteristics and improvement scheme of dark-field imaging of high energy electron radiography
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摘要: 基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统，对暗场成像的模拟研究发现，通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象。针对该失真现象提出的改进方案，消除了暗场成像结果的失真。通过对40 MeV电子透射7~224 μm的铝样品开展的成像模拟结果表明：40 MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25 μm情况下具有明显的面密度分辨优势，且空间分辨率达到μm量级，非常适用于高能量密度物质诊断。Abstract: The simulations of dark-field imaging of high energy electron radiography show that the dark field imaging is distorted in the case of large angle selected. In order to eliminate distortion, an optimized scheme is proposed in this paper. The results of high Energy Electron Radiography (HEER) simulations by optimization show that the dark-field image has better areal density resolution when the thickness of aluminum target is less than 25 μm, and the spatial resolution of dark-field imaging is about several microns. In summary, dark-field imaging of high energy electron radiography is ideal to thin warm dense matter specimen diagnosis.
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剥离注入是强流质子同步加速器中最常用的注入方法，剥离膜系统是其关键设备。中国散裂中子源的剥离膜系统主要包括RCS注入区的主剥离膜和次剥离膜。在散裂中子源工作过程中，注入区剥离膜的作用是极其关键的，是实现负氢离子转换为质子注入加速的关键设备。散裂中子源主剥离膜采用面密度100 μg/cm2、厚度为500 nm的类金刚石膜片。碳膜具有比热容高、导热性好、密度小、热膨胀系数低及高熔点等优点，其熔点高达3800 K，但是类金刚石剥离膜同时又具有超薄、易碎等物理特性，500 nm薄膜的安装及固定难度高，同时在真空获得过程中，过大的压差导致空气扰动极有可能造成膜片的损坏。本文主要研究剥离膜辅助安装装置，实现剥离膜样品批量安装，通过对剥离膜的空气动力学进行分析，研究剥离膜片在真空获得过程中可能出现的膜片破坏情况，制定可行的真空获得方案以减小膜片被破坏的几率。
1. 剥离膜固定方式研究现状
国外散裂中子源对于剥离膜的快速安装方法进行了相关研究，除了美国散裂中子源(SNS)膜片采用单边无布丝悬挂固定方式外，大部分剥离膜固定方式均与图 1所示类似，即在膜架上布丝，以交叉的形式固定剥离膜，这种固定方式主要应用在J-PARC及LANL装置上。密集布丝能有效防止剥离膜边角因高温产生的起皱、弯曲等热应力释放现象，但是，这也是造成束流损失的一大原因。
由于散裂中子源环内循环质子束重复穿越，会在膜片上沉积大量的能量，产生很高的温度，同时在满足剥离效率要求下，一般选择熔点高、尽量薄的剥离膜片。所有类型剥离膜的共同特点是：(1)薄、易碎；(2)制备或安装困难；(3)耐高温。尽管选择的膜片材料都是高熔点的材料，但是交变的热载仍会使剥离膜褶皱、撕裂。另外，经测试，在室温环境下碳剥离膜在其变形量为12 mm时便破碎，如图 2所示。
2. 散裂中子源剥离膜批量安装试验
综合考虑束流包络、束流路径等因素，剥离膜采用双边固定形式[1-3]。由于膜片在重复注入次数为4次时温度将从300 K上升到1600 K，如图 3所示，膜片将承受热应力。碳膜采用双边固定及碳纤维辅助支撑方式，如图 4所示，能有效缓解剥离膜热变形[1-3]。
超薄剥离膜安装装置(如图 5所示)由底架、微距手动升降台、定位台面、碳纤维固定滚筒及标准定位块组成。装配过程首先将基底膜架安装在定位台面上，然后依次装配碳纤维和膜片，通过微距手动升降台抬高定位台面使碳纤维张紧，再装配支撑碳纤维，使用标准定位块对膜片进行高精度定位，最后安装夹紧膜架。整个过程需要在没有空气扰动、没有震动的环境下完成，严禁肢体接触膜片[4-6]。
图 5 碳膜辅助安装装置及批量安装样品Figure 5. Stripper foil installation set and the installation samples3. 剥离膜空气动力学分析
剥离膜系统需要在1×10-6 Pa的超高真空环境下工作，在真空获得阶段，气体流动将造成剥离膜震动或摆动，震动或摆动可能造成剥离膜片破坏，严重影响其寿命[5-6]。本文通过分析得出真空获得阶段真空抽速对膜片震动或摆动的影响，保证膜片使用寿命。剥离膜空气动力学分析采用Ansys的Workbench Fluent和Static Structural两模块进行。本文采用压差设定反推的方法获得膜片在不同进出口压力差的真空获得过程中的应力应变，对比膜片的允许应力应变获得进出口压差的限值。图 6为根据不同压差得出膜片的最大应力应变曲线图，膜片最大应力应变与压差成线性比例关系。从图 6中可见，进出口压差300 Pa以内，膜片形变在可承受范围内。
图 6 不同压差膜片最大应力应变分布图Figure 6. Maximum stress and strain distribution under different pressure difference图 7为300 Pa进出口压差计算残差值，进出口不平衡误差为0.006 5%，计算收敛。由于气体流动造成的膜片表面压力分布如图 8所示，膜片上所受压差为7 Pa左右。图 9为剥离膜系统空气流动分布图，在膜片周围，气体流动速度几乎为0。图 10为剥离膜周围空气扰动分布截面图，在膜片附近存在较小扰动，扰动压差大约为7 Pa。图 11为出口气流速度分布图，最高速度为23 m/s。图 12为膜片应力应变分布图，最大应变为0.012 m，最大应力为40 MPa。根据图 2实验，当膜片的摆动量超过12 mm时将造成破坏，因此可知，在压差低于300 Pa时，膜片的最大应力为4.02×107 Pa，膜片最大应变为12.2 mm，膜片可能受到破坏，因此真空获得时压差不得高于300 Pa。
4. 剥离膜系统真空获得测试
经Workbench fluent模拟分析计算，300 Pa压差时，出口端的速度为4.609 m/s，出口半径为0.03 m，则允许最大流速为13 L/s，由于前级泵抽速为8 L/s，低于理论计算的流速，因此在剥离膜系统真空获得的粗抽阶段，无需进行抽速限制。图 13为实际真空获得过程中，膜片的真实情况，据观察, 膜片未发生震动或摇摆。
剥离膜系统真空获得主要使用抽速为300 L/s的分子泵机组一套，前级泵粗抽抽速为8 L/s，采用MKS937B CCG真空计监测系统真空度。使用氦质谱检漏仪监测，系统漏率优于3.2×10-11 mbar·L/s，经调试，剥离膜系统最终真空度优于1.3×10-7 Pa，如图 14所示。
5. 结论
散裂中子源剥离膜超薄易碎的特点导致膜片安装及真空获得困难，本文通过研究设计了剥离膜片辅助安装装置，实现样品的批量安装；采用压差设定反推的分析方法，通过Fluent仿真获得膜片真空获得过程中的压力分布、膜片周围空气扰动、系统气体流动及膜片的应力应变分布情况，制定在不破坏剥离膜的前提下真空获得方案，通过实际测试，膜片完好并获得系统超高真空。
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图 1 高能电子成像原理示意图(在线彩图)
Figure 1. The schematic of high energy electron radiography (color on line)
图 2 暗场成像原理示意图。将光阑位置设定为绿色区域，则为明场成像; 设定为红色区域，则为暗场成像
Figure 2. Schematic of dark-field image. When the aperture position is set in the green area, the image is bright-field; when the aperture is set to the red area, the dark field image can be got
图 5 40 MeV电子束透射不同厚度铝样品，电子数密度在Fourier面处沿x轴分布图
Figure 5. Distribution of electrons along x-axis at Fourier plane in the case of the 40 MeV electron beam passing through the aluminum specimen with different thickness
图 6 不同光阑中心位置对应的像平面上电子数密度分布图
Figure 6. Results of HEER for different aperture position setting
图 7 劈裂尺寸模拟值与理论值对比图
Figure 7. Comparison of theoretical and simulated values of the crack size
图 11 不同狭缝位置与对应入射角度情况下电子数分布拟合曲线对比图
Figure 11. Fitting curve of electron number distribution at image plane for different aperture position and different incident angles setting
图 12 不同入射角度情况下，厚度分辨本领随厚度变化关系图
Figure 12. Capabilities of areal density resolution under different incident angle
表 1 靶平面至Fourier面处的传输矩阵参数
Table 1. Matrix parameters of transport from object plane to Fourier plane
R11F R12F/(mm·mrad-1) R33F R34F/(mm·mrad-1) -3.0×10-3 1.1 -6.7×10-3 -5.3 
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表 2 成像系统传输矩阵参数
Table 2. Matrix parameters of transport from object plane to image plane
R11 R12/(mm·mrad-1) R21/(mm·mrad-1) R22 R33 R34/(mm·mrad-1) R43/(mm·mrad-1) R44 -1.0 -6.67×10-3 4.8×10-3 -1.0 -1.0 -7.10×10-3 2.35×10-2 -1.0
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表 3 不同光阑位置对应的角度筛选区间
Table 3. Angle range selected for different aperture position setting
xaperture/mm angle selected/mrad xaperture/mm angle selected/mrad 0 －0.23~0.23 10 8.86~9.32 5 4.32~4.78 15 13.40~13.87
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表 4 不同入射角度情况下，对于不同厚度铝样品的空间分辨
Table 4. Spatial resolution for different steps and different incident angle
incident angle/mrad RMS spatial resolution for different steps/μm 7 μm 14 μm 28 μm 56 μm 112 μm 224 μm 0 5 6 5 4 2 3 4.54 3 2 10 9 14 5 9.09 3 1 7 5 2 3 13.64 1 5 2 10 3
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