留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基片与多形态缺陷粒子的复合光散射

巩蕾 吴振森 白璐

巩蕾, 吴振森, 白璐. 基片与多形态缺陷粒子的复合光散射[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2731-2734. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2731
引用本文: 巩蕾, 吴振森, 白璐. 基片与多形态缺陷粒子的复合光散射[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2731-2734. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2731
GonG Lei, Wu Zhensen, Bai Lu. Light scattering by wafers and multi shaped defect particles[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2731-2734. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2731
Citation: GonG Lei, Wu Zhensen, Bai Lu. Light scattering by wafers and multi shaped defect particles[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2731-2734. doi: 10.3788/HPLPB20122411.2731

基片与多形态缺陷粒子的复合光散射

doi: 10.3788/HPLPB20122411.2731
详细信息
    通讯作者:

    巩蕾

Light scattering by wafers and multi shaped defect particles

  • 摘要: 为了给基片无损检测工程提供强有力的理论基础,提出三种形态的缺陷粒子散射模型。针对基片与缺陷粒子的半空间问题,吸收边界使用了广义完全匹配吸收层,结合三波技术引入激励源给出相应的连接边界条件并将互易性定理应用到近远场外推中使过程简化。数值计算给出了镶嵌于基片中的多种几何体Cu和SiO2缺陷粒子的散射场的角分布及p偏振和s偏振下镶嵌Cu球体粒子的电场分布。结果显示:角分布和场分布跟粒子形态关系密切。椭球体散射场的震荡明显比柱体场震荡激烈。在s偏振下电场强度分布差值极小,不利于通过分析场值分布特点反演缺陷特征值。因此建议工程上使用p偏振光对基片进行无损检测。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1400
  • HTML全文浏览量:  204
  • PDF下载量:  299
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-05
  • 修回日期:  2012-06-01
  • 刊出日期:  2012-11-01

目录

    /

    返回文章
    返回