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阵列碳纳米管的石墨化程度

马康夫 付志兵 易勇 王朝阳 程艳奎 唐永建

吴文娟, 朱京涛, 张众, 等. 低原子序数材料窄带多层膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1785-1788. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1785
引用本文: 马康夫, 付志兵, 易勇, 等. 阵列碳纳米管的石墨化程度[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 022005. doi: 10.3788/HPLPB201426.022005
Wu Wenjuan, Zhu Jingtao, Zhang Zhong, et al. Narrowband multilayers with low Z materials[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1785-1788. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1785
Citation: Ma Kangfu, Fu Zhibing, Yi Yong, et al. Graphitization degree of carbon nanotube arrays[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 022005. doi: 10.3788/HPLPB201426.022005

阵列碳纳米管的石墨化程度

doi: 10.3788/HPLPB201426.022005
详细信息
    通讯作者:

    唐永建

Graphitization degree of carbon nanotube arrays

  • 摘要: 采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对阵列碳纳米管的石墨化程度进行了系统研究。利用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对样品形貌以及结构进行了表征。探讨了不同实验参数对阵列碳纳米管石墨化程度影响的机理。结果发现,在一定催化剂浓度范围内,催化剂浓度过低时,阵列碳纳米管的石墨化程度较差,而随着催化剂浓度的增加,阵列碳纳米管的石墨化程度逐渐变好;生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管需要合适的进液速度,进液速度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差;此外,生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管也需要合适的生长温度,生长温度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-06-19
  • 修回日期:  2013-11-04
  • 刊出日期:  2014-02-15

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