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0.02 nm带宽近衍射极限输出的双外腔反馈半导体激光器

吴晓冬 陈军 葛剑虹

吴晓冬, 陈军, 葛剑虹. 0.02 nm带宽近衍射极限输出的双外腔反馈半导体激光器[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(11).
引用本文: 吴晓冬, 陈军, 葛剑虹. 0.02 nm带宽近衍射极限输出的双外腔反馈半导体激光器[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(11).
wu xiao-dong, chen jun, ge jian-hong. Broad-area laser diode with 0.02 nm bandwidth and diffraction limited output due to double external cavity feedback[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: wu xiao-dong, chen jun, ge jian-hong. Broad-area laser diode with 0.02 nm bandwidth and diffraction limited output due to double external cavity feedback[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

0.02 nm带宽近衍射极限输出的双外腔反馈半导体激光器

Broad-area laser diode with 0.02 nm bandwidth and diffraction limited output due to double external cavity feedback

  • 摘要: 实验研究了宽接触条形双外腔反馈半导体激光器,在该激光器的输出表面镀增透膜,反馈是由高反射率平面镜和闪耀光栅组成,通过调整平面镜和光栅的倾斜角度,使得特定的空间模式和纵模注入半导体激光器,使之产生振荡,并抑制了激光腔内振荡的其他横模和纵模数,从而输出单瓣近衍射极限的激光束。同时在腔内插入标准具,使得输出激光线宽达到0.02 nm,输出功率在150 mW。输出光束的光束质量因子M2为1.16。
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  • 刊出日期:  2005-11-25

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