后退火对InxGa1xAs 单层量子点光学性质的影响
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摘要: 研究了以GaAs和Al0.15Ga0.85As为基体, 当铟的摩尔分数（x）不同时, 后退火对InxGa1-xAs 单层量子点光致荧光（PL）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（x=0.23, 0.37, 0.50, 1.0）的PL谱线宽度变窄和蓝移。对于GaAs 基体, 在700℃退火90分钟所造成的PL谱蓝移与退火30分钟相似;(仅当x=0.23时, 退火90分钟所造成的PL谱蓝移小于30分钟)。对于Al0.15Ga0.85As基体, 在700℃退 火30分钟和90分钟, 其PL谱蓝移是不同的。Abstract: Effects of postgrowth annealing on optical properties of single layer InxGa1xAs quantum dots with different indium fraction (x),embedded in a GaAs or an Al0.15Ga0.85As matrix res pectively,have been investigated. Annealing leads to narrowing of line width and different blue shifts for different indium fraction.
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Key words:
- quantum dots /
- postgrowth annealing /
- photoluminescence /
- injection semiconductor laser
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