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PIN二极管的高功率微波响应

余稳,  聂建军,  郭杰荣,  周传明,  张义门, 

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文章导航 > 强激光与粒子束  > 2002 >  14(02): 0-
余稳, 聂建军, 郭杰荣, 等. PIN二极管的高功率微波响应[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(02).
引用本文: 余稳, 聂建军, 郭杰荣, 等. PIN二极管的高功率微波响应[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(02).
shu
yu wen, 3, nie jianjun3, et al. THE RESPONSE OF THE PIN DIODE TO THE HIGH POWER MICROWAVE[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.
Citation: yu wen, 3, nie jianjun3, et al. THE RESPONSE OF THE PIN DIODE TO THE HIGH POWER MICROWAVE[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.
shu

PIN二极管的高功率微波响应

  • 1.

    西安电子科技大学微电子所 陕西西安 71 0071 ;

  • 2.

    中国工程物理研究院应用电子学所 四川绵阳 621 900;

  • 3.

    常德师范学院电子学研究所 湖南常德41 5000

THE RESPONSE OF THE PIN DIODE TO THE HIGH POWER MICROWAVE

  • 1.

    Xidian University,Xi’an 710071;

  • 2.

    Institute of Applied Electronics,CAEP,P.O.Box 919,Mianyang,621900;

  • 3.

    Institute of Electronics,Changde Normal University,Hunan 415000

    摘要
  • 摘要: 利用自行编制的半导体器件模拟程序mPND1D(采用时域有限差分方法，求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组)，对PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算，比较了不同条件下的计算结果，并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明:随着激励源幅值的升高，器件截止频率增大；随着脉冲长度减小，器件截止频率降低；随着器件恒定温度值升高，截止频率下降。
    Abstract: By making use of our own program mPND1D for modeling of the semiconductor devices, The response of a PIN diode limiter to the high power microwave (HPM) is calculated, results for different conditions have been compared, and also we analyzed the diode cutoff frequency for microwave sources. The results show that the cutoff frequency increases with the rising of the source amplitude , and it decreases with the decreasing of pulse length and device temperature.
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  • 刊出日期:  2002-04-15

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