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集成电路器件微波损伤效应实验研究

方进勇 申菊爱 杨志强 乔登江

方进勇, 申菊爱, 杨志强, 等. 集成电路器件微波损伤效应实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
引用本文: 方进勇, 申菊爱, 杨志强, 等. 集成电路器件微波损伤效应实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
fang jin yong, shen ju ai, yang zhi qiang, et al. Experimental study on microwave vulnerability effect of integrated circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.
Citation: fang jin yong, shen ju ai, yang zhi qiang, et al. Experimental study on microwave vulnerability effect of integrated circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.

集成电路器件微波损伤效应实验研究

Experimental study on microwave vulnerability effect of integrated circuit

  • 摘要: 主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-06-15

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