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脉冲激光气相沉积技术及其在ICF薄膜靶制备中的应用

吴卫东 许华 魏胜 唐永建 陈正豪

吴卫东, 许华, 魏胜, 等. 脉冲激光气相沉积技术及其在ICF薄膜靶制备中的应用[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(06).
引用本文: 吴卫东, 许华, 魏胜, 等. 脉冲激光气相沉积技术及其在ICF薄膜靶制备中的应用[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(06).
wu wei dong, xu hua, wei sheng, et al. Pulse laser vapor deposition technology and its application in fabrication of the ICF filmtargets[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.
Citation: wu wei dong, xu hua, wei sheng, et al. Pulse laser vapor deposition technology and its application in fabrication of the ICF filmtargets[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.

脉冲激光气相沉积技术及其在ICF薄膜靶制备中的应用

Pulse laser vapor deposition technology and its application in fabrication of the ICF filmtargets

  • 摘要: 在ICF实验及天体物理的辐射不透明实验中,经常用到多层薄膜靶,激光脉冲气相沉积(PLD)技术是制备多层薄膜靶的较好方法。论述了PLD技术的原理、实验方法和装置的设计,用该方法初步制备了原子级光滑的Cu及Cu/ Fe薄膜。Cu薄膜的均方根粗糙度为0.2nm,Fe薄膜的均方根粗糙度为0.4nm。
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-15

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