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激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤

赵建君 宋春荣 张灵振 牛燕雄

赵建君, 宋春荣, 张灵振, 等. 激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(07).
引用本文: 赵建君, 宋春荣, 张灵振, 等. 激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(07).
zhao jian-jun, song chun-rong, zhang ling-zhen, et al. Thermal damage in InSb(PV) detector induced by CW laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: zhao jian-jun, song chun-rong, zhang ling-zhen, et al. Thermal damage in InSb(PV) detector induced by CW laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤

Thermal damage in InSb(PV) detector induced by CW laser

  • 摘要: 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场。通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值。研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大。为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度。采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4~5 s基本吻合。
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  • 刊出日期:  2005-07-15

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