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X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

牟维兵 陈盘训

牟维兵, 陈盘训. X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(01).
引用本文: 牟维兵, 陈盘训. X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(01).
mu wei-bing, chen pan-xun. Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.
Citation: mu wei-bing, chen pan-xun. Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.

X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface

  • 摘要: 当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时,界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。
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  • 刊出日期:  2001-02-15

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