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X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

牟维兵,  陈盘训

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牟维兵, 陈盘训. X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(01).
引用本文: 牟维兵, 陈盘训. X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(01).
shu
mu wei-bing, chen pan-xun. Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.
Citation: mu wei-bing, chen pan-xun. Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.
shu

X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

  • 1.

    中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621 900;中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 四川 绵阳 621 900

Simulative calculation of the dose enhancement factor of W-SiO2 and Ta-SiO2 interface

  • 1.

    Institute of Nuclear Physics and Chemistry,CAEP,P.O.BOX 919-213,Mianyang 621900,China;

    摘要
  • 摘要: 当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。
    Abstract: The dose would be enhanced in low Z material when X-ray enters the interface which is constructed with different materials. The mechanic of dose enhancement is introduced in this article, and the Dose Enhancement Factors Of W-SiO2、Ta-SiO2 interface are calculated in the article. The calculated results demonstrate that there exits stronger dose-enhancement in the SiO2 side near the interface when the energy of X-ray is between 100keV and 150keV.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-02-15

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