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500 fs超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应

黄绍艳 张永生 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚

黄绍艳, 张永生, 唐本奇, 等. 500 fs超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(10).
引用本文: 黄绍艳, 张永生, 唐本奇, 等. 500 fs超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(10).
huang shao-yan, zhang yong-sheng, tang ben-qi, et al. Damage effect on CCD detector irradiated by 500 fs laser pulse[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: huang shao-yan, zhang yong-sheng, tang ben-qi, et al. Damage effect on CCD detector irradiated by 500 fs laser pulse[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

500 fs超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应

Damage effect on CCD detector irradiated by 500 fs laser pulse

  • 摘要: 采用脉宽500 fs,脉冲能量250 μJ的超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器,观察到了CCD从线性响应到像元饱和、饱和串音直至硬损伤的整个过程,并着重对两种辐照能量密度下的硬损伤机理进行了理论分析。结果表明:激光能量密度为0.45 μJ/cm2时,达到像元饱和;能量密度为0.14 J/cm2时,辐照6个脉冲后实现了CCD器件的硬损伤,硬损伤源于晶格被加热并汽化形成等离子体;能量密度为1.41 J/cm2时,单个脉冲就使CCD器件的输出波形无法辨认,2个脉冲后CCD器件没有任何信号输出,硬破坏源于电荷分离形成的电场库仑力。
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  • 刊出日期:  2005-10-15

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