二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

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二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

余稳, 蔡新华, 黄文华, 刘国治

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徐伟, 万宝年, 李建刚, 等. HT–6M托卡马克表面加热实验中的光谱现象[J]. 强激光与粒子束, 1996, 08(02).

引用本文:

余稳, 蔡新华, 黄文华, 等. 二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12(02).

徐伟, 万宝年, 李建刚, 等. HT–6M托卡马克表面加热实验中的光谱现象[J]. 强激光与粒子束, 1996, 08(02).

引用本文:

余稳, 蔡新华, 黄文华, 等. 二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12(02).

二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

1.
常德师范学院电子学研究所,湖南常德 41 5000;
2.
西北核技术研究所,西安69信箱71 0024

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出版历程
- 刊出日期: 2000-04-15

摘要: 利用半导体PN结器件一维模拟程序mPND1D，计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量，并对结果作了初步分析。
- 电磁脉冲 /
- 半导体器件 /
- 失效和烧毁 /
- 时域有限差分
Abstract: By means of the program mPND1D (one-dimensional modeling for PN junction devices), the diode failure and burnout energy absorbed have been calculated for different EMP pulsed voltage sources, and the results are analyzed preliminarily.
- emp /
- semiconductor devices /
- failure and burnout /
- fdtd

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