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半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析

李平 刘国治 黄文华 王亮平

李平, 刘国治, 黄文华, 等. 半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(03).
引用本文: 李平, 刘国治, 黄文华, 等. 半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(03).
li ping, liu guo-zhi, huang wen-hua, et al. The mechanism of HPM pulse-duration damage effect on semiconductor component[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.
Citation: li ping, liu guo-zhi, huang wen-hua, et al. The mechanism of HPM pulse-duration damage effect on semiconductor component[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2001, 13.

半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析

The mechanism of HPM pulse-duration damage effect on semiconductor component

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  • 刊出日期:  2001-06-15

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