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GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究

杨洪琼 杨瑞华 彭忠传 王慧芳 杨建伦 胡孟春 陈旭东

杨洪琼, 杨瑞华, 彭忠传, 等. GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究[J]. 强激光与粒子束, 1997, 09(03).
引用本文: 杨洪琼, 杨瑞华, 彭忠传, 等. GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究[J]. 强激光与粒子束, 1997, 09(03).

GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究

  • 摘要: 介绍了国产GaAs:Cr光电导探测器(简称PCD)在DT聚变中子辐射脉冲测量中的应用,利用PIN探测系统绝对测量结果,获得了GaAs:Cr PCD的14.1MeV中子直照灵敏度是1.5×10-20C cm2/mm3,测量误差为±18%。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。
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出版历程
  • 刊出日期:  1997-08-15

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