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100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究

陈林 孙承纬 姜巍 王刚华 吴守东 姚斌 李晔 徐敏

陈林, 孙承纬, 姜巍, 等. 100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(01).
引用本文: 陈林, 孙承纬, 姜巍, 等. 100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(01).
chen lin, sun cheng-wei, jiang wei, et al. Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: chen lin, sun cheng-wei, jiang wei, et al. Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究

Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch

  • 摘要: 研制了最大导通电流约为100 kA的微秒导通时间等离子体断路开关,开展了该导通电流下的等离子体断路开关性能实验,得到的负载电流上升时间为54-76 ns,最高开关电压为1.38 MV,最高电压倍增系数达到4.9。建立了导通阶段开关区等离子体运动的二维雪耙模型,初步数值模拟结果表明,该模型对目前开展的实验有较好的预估能力。
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  • 刊出日期:  2005-01-15

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