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二氧化锆薄膜制备及其特性测量

任树喜 马洪良 徐国庆 张义炳

任树喜, 马洪良, 徐国庆, 等. 二氧化锆薄膜制备及其特性测量[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17: 222- .
引用本文: 任树喜, 马洪良, 徐国庆, 等. 二氧化锆薄膜制备及其特性测量[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17: 222- .
ren shu-xi, ma hong-liang, xu guo-qing, et al. Preparation and character measurement of ZrO2 films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17: 222- .
Citation: ren shu-xi, ma hong-liang, xu guo-qing, et al. Preparation and character measurement of ZrO2 films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17: 222- .

二氧化锆薄膜制备及其特性测量

Preparation and character measurement of ZrO2 films

  • 摘要: 在室温下采用电子束蒸发的办法制备二氧化锆(ZrO2)薄膜。 借助紫外分光光度计、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等方法研究了薄膜的透射率和表面结构。 同时研究了不同退火温度对薄膜物理性质的影响。在退火温度700,900,1 050 ℃时显微镜图像没有明显差别。随着退火温度的变大,薄膜表面的晶粒的直径逐渐变大,但粒径均在25 nm左右。当退火温度达到1 150 ℃时,粒径变得很大(约400 nm)。在700,900,1 050 ℃下退火后的薄膜的X射线衍射谱没有明显差别。在退火温度1 150 ℃下出现了较高的峰,研究结果表明:退火温度的增加,大量大粒径二氧化锆单晶晶粒出现,使得二氧化锆薄膜的漏电流增大,从而导致其热稳定性变差。
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  • 刊出日期:  2005-02-15

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