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带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟

陈玉兰 曾正中 孙凤举

陈玉兰, 曾正中, 孙凤举. 带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
引用本文: 陈玉兰, 曾正中, 孙凤举. 带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(06).
chen yu-lan, zeng zheng-zhong, sun feng-ju. Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.
Citation: chen yu-lan, zeng zheng-zhong, sun feng-ju. Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.

带辅助磁场等离子体断路开关的数值模拟

Particle-in-cell simulations of plasma opening switch with external magnetic field

  • 摘要: 利用全电磁网格粒子方法模拟了外加磁场对等离子体断路开关(POS)断路性能的影响,给出了电压倍增系数与外加磁场的关系曲线。数值模拟表明,外加轴向磁场线圈必须放在同轴型POS阴极的同侧才能显著改善开关的断路性能;当外加角向磁场时,内电极为阴、阳极的同轴型POS的断路性能都得到了不同程度的改善。随着外加磁场的增大,电压倍增系数将达到饱和。
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-06-15

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