留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

非平衡系统中双电子复合对电子占据数的影响

吴泽清,  李世昌,  韩国兴

downloadPDF
文章导航 > 强激光与粒子束  > 1998 >  10(01): 0-
吴泽清, 李世昌, 韩国兴. 非平衡系统中双电子复合对电子占据数的影响[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10(01).
引用本文: 吴泽清, 李世昌, 韩国兴. 非平衡系统中双电子复合对电子占据数的影响[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10(01).
shu
wu zeqing, li shichang, han guoxing. EFFECTS OF DIELECTRONIC RECOMBINATION ON ELECTRON OCCUPATION NUMBER FOR NON LTE SYSTEM[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1998, 10.
Citation: wu zeqing, li shichang, han guoxing. EFFECTS OF DIELECTRONIC RECOMBINATION ON ELECTRON OCCUPATION NUMBER FOR NON LTE SYSTEM[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1998, 10.
shu

非平衡系统中双电子复合对电子占据数的影响

  • 1.

    中国工程物理研究院研究生部, 北京8009信箱, 1 00088;

  • 2.

    北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室, 北京8009信箱, 1 00088

EFFECTS OF DIELECTRONIC RECOMBINATION ON ELECTRON OCCUPATION NUMBER FOR NON LTE SYSTEM

  • 1.

    Institute of Applied Physics and Computational Mathematics;P.O.Box 8009;Beijing 100088.P.R.China

    摘要
  • 摘要: 在求解平均原子中各能级的电子占据几率的速率方程时, 加入了双电子复合效应的影响。以Al 等离子体为例, 在不同温度密度条件下, 通过大量的数据计算, 分析了双电子复合对电子占据数的影响, 给出了双电子复合影响较大的温度密度区域。并对Au 等离子体进行了计算, 发现双电子复合对其电离度影响很大。
    Abstract: Dielectronic Recombination(DR) has been included in the solution of the rate equations in the average atom(AA) model. Employing the method proposed by Zao Libo and Li Shichang the DR rate coefficients was calculated. The results show that DR plays an important role in some cases in Al plasma and the average degree of ionization for Au plasma is sharply decreased after considering DR process.
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)
  • 加载中
WeChat 点击查看大图
计量
  • 文章访问数:  2562
  • HTML全文浏览量:  283
  • PDF下载量:  757
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  1998-01-15

目录

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 2014 中国工程物理研究院科技信息中心 蜀ICP备06003668号

    通信地址: 四川省绵阳919信箱805分信箱 (621900)刊社地址: 四川省绵阳市游仙区科学城科技信息中心电话: 0816-2485753传真：0816-2483701Email：HPLPB@caep.cn

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发 技术支持: info@rhhz.net   百度统计