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加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究

张自成 杨建华 张建德 刘金亮 蒲金飞 刘振祥

张自成, 杨建华, 张建德, 等. 加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
引用本文: 张自成, 杨建华, 张建德, 等. 加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
zhang zi-cheng, yang jian-hua, zhang jian-de, et al. Investigation of high electrical breakdown for pressurized water dielectric with microsecond charging[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: zhang zi-cheng, yang jian-hua, zhang jian-de, et al. Investigation of high electrical breakdown for pressurized water dielectric with microsecond charging[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究

Investigation of high electrical breakdown for pressurized water dielectric with microsecond charging

  • 摘要: 采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明:在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合。加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增幅与Mirza定性理论场强增幅的相对差别在5%以内。根据实验结果推导出了更为准确的水介质击穿场强随静压变化的关系式。对水介质加压,将压缩电极表面气泡,减少气泡数目,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-15

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