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大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究

徐天容 杨怀民

徐天容, 杨怀民. 大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
引用本文: 徐天容, 杨怀民. 大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
xu tian-rong, yang huai-min. Synthetical ionization irradiation effects of neutron and γ-ray on very large scale integrated circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: xu tian-rong, yang huai-min. Synthetical ionization irradiation effects of neutron and γ-ray on very large scale integrated circuit[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究

Synthetical ionization irradiation effects of neutron and γ-ray on very large scale integrated circuit

  • 摘要: 研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出:在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-15

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