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快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象

周怀安 杜正伟 龚克

周怀安, 杜正伟, 龚克. 快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
引用本文: 周怀安, 杜正伟, 龚克. 快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(05).
zhou huai-an, du zheng-wei, gong ke. Overshoot phenomena in PIN diode under EMP with fast rise time[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: zhou huai-an, du zheng-wei, gong ke. Overshoot phenomena in PIN diode under EMP with fast rise time[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象

Overshoot phenomena in PIN diode under EMP with fast rise time

  • 摘要: 为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析。分析表明,过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的,无论是在正电压还是负电压情况下,脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高,则过冲电流密度的峰值越高。
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  • 刊出日期:  2005-05-15

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