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γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

刘贵昂 王天民

刘贵昂, 王天民. γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(06).
引用本文: 刘贵昂, 王天民. γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(06).
liu gui-ang, wang tian-min. Effect of γ rays irradiation on structure and property of a-SiC:H film[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: liu gui-ang, wang tian-min. Effect of γ rays irradiation on structure and property of a-SiC:H film[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

Effect of γ rays irradiation on structure and property of a-SiC:H film

  • 摘要: 采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8×104 Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空穴中的电子会被激发,a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω·cm;薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si-O-Si键断裂而产生的Si取代膜中C-C键中的C而形成晶态SiC,在此过程中出现了Si-O-Si键及a-SiC:H的减少,晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低,折射率从5.19增大到5.53,辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内,a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-06-15

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