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Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用

刘光辉 方明 晋云霞 张伟丽 贺洪波 范正修

刘光辉, 方明, 晋云霞, 等. Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(10).
引用本文: 刘光辉, 方明, 晋云霞, 等. Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(10).
liu guanghui, fang ming, jin yunxia, et al. Sc2O3 substitution layer for application in 532 nm high refector films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: liu guanghui, fang ming, jin yunxia, et al. Sc2O3 substitution layer for application in 532 nm high refector films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用

Sc2O3 substitution layer for application in 532 nm high refector films

  • 摘要: 将Sc2O3替代层引入到532 nm高反膜(HfO2/SiO2)n中,利用Sc2O3在盐酸中具有较好的溶解性这个特点,把膜层与基片脱离,以方便基片返修,缩短返修周期,降低成本。能量色散谱元素测试表明,脱离后Sc元素残留率为0。用Lamada900分光光度计、WykoNT1100轮廓仪和ZYGO干涉仪分别表征了替代层引入对高反膜的光谱、表面粗糙度和应力的影响,并测试了膜系在532 nm的激光损伤阈值的变化,结果表明Sc2O3替代层的引入对高反膜的性能几乎没有负面影响。
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-15

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