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退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响

徐自强 邓宏 谢娟 李燕 陈航 祖小涛 薛书文

徐自强, 邓宏, 谢娟, 等. 退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(01).
引用本文: 徐自强, 邓宏, 谢娟, 等. 退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(01).
xu zi-qiang, deng hong, xie juan, et al. Effect of annealing on photoluminescence of ZnO: Al thin films prepared by sol-gel method[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.
Citation: xu zi-qiang, deng hong, xie juan, et al. Effect of annealing on photoluminescence of ZnO: Al thin films prepared by sol-gel method[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.

退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响

Effect of annealing on photoluminescence of ZnO: Al thin films prepared by sol-gel method

  • 摘要: 采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备ZnO:Al(AZO)薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对AZO薄膜结构和光致发光特性的影响。XRD图谱表明:所制备的薄膜具有c轴高度择优取向,随着退火温度的升高,(002)峰的强度逐渐增强,同时(002)峰的半高宽逐渐减小,表明晶粒在不断增大。未退火样品的光致发光(PL)谱由361 nm附近的紫外带边发射峰和500 nm附近的深能级发射峰组成。样品经退火后,以500 nm为中心的绿带发射逐渐减弱,而带边发射强度有所增强,并且逐渐红移到366 nm附近,与吸收边移动的测试结果相吻合。对经过不同时间退火的样品分析表明,AZO薄膜的发光特性与退火时间也有很大关系,时间过短可见波段的发射较强,但时间过长会使晶粒发生团聚,导致紫外发射峰强度减弱。
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  • 刊出日期:  2006-01-15

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