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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

袁国火 杨怀民 徐曦 董秀成

袁国火, 杨怀民, 徐曦, 等. 微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(03).
引用本文: 袁国火, 杨怀民, 徐曦, 等. 微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(03).
yuan guo-huo, yang huai-min, xu xi, et al. Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.
Citation: yuan guo-huo, yang huai-min, xu xi, et al. Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.

微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

Total ionizing dose effects and hardening techniques of microcircuit FPGA

  • 摘要: 讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si)。对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽。
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  • 刊出日期:  2006-03-15

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