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高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

张继彦 郑志坚 杨国洪 杨家敏 丁耀南 韦敏习 李军

张继彦, 郑志坚, 杨国洪, 等. 高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(08).
引用本文: 张继彦, 郑志坚, 杨国洪, 等. 高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(08).
zhang ji-yan, zheng zhi-jian, yang guo-hong, et al. Dielectronic recombination and electron collisional excitation in high-Z plasmas[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.
Citation: zhang ji-yan, zheng zhi-jian, yang guo-hong, et al. Dielectronic recombination and electron collisional excitation in high-Z plasmas[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.

高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

Dielectronic recombination and electron collisional excitation in high-Z plasmas

  • 摘要: 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d10-3d94l5f-3d104l双电子复合过程以及类Cu离子的3d104l-3d94l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。
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  • 刊出日期:  2006-08-15

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