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用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

张显斌 施卫 李琦 陈二柱 赵卫

张显斌, 施卫, 李琦, 等. 用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(06).
引用本文: 张显斌, 施卫, 李琦, 等. 用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(06).
zhang xian bin, shi wei, li qi, et al. Experimental study of semiinsulating GaAs photoconductive switch triggered by infrared laser pulse[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.
Citation: zhang xian bin, shi wei, li qi, et al. Experimental study of semiinsulating GaAs photoconductive switch triggered by infrared laser pulse[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2002, 14.

用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

Experimental study of semiinsulating GaAs photoconductive switch triggered by infrared laser pulse

  • 摘要: 报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关, 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-15

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