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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

谢爱根 郭胜利 李传起 裴元吉

谢爱根, 郭胜利, 李传起, 等. 绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(01).
引用本文: 谢爱根, 郭胜利, 李传起, 等. 绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(01).
xie ai-gen, guo sheng-li, li chuan-qi, et al. Device for measuring secondary electron emission yield of insulator[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: xie ai-gen, guo sheng-li, li chuan-qi, et al. Device for measuring secondary electron emission yield of insulator[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

Device for measuring secondary electron emission yield of insulator

  • 摘要: 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm,偏置电压设置为 45 V。测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于 2~26范围内,其对应的原电子能量约为980 eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。
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  • 刊出日期:  2007-01-15

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