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光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应

陈亮 欧阳晓平 张忠兵 张国光 张建福 张显鹏

陈亮, 欧阳晓平, 张忠兵, 等. 光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(02).
引用本文: 陈亮, 欧阳晓平, 张忠兵, 等. 光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(02).
chen liang, ouyang xiao-ping, zhang zhong-bing, et al. Response of photomultiplier tube to 14 MeV pulse neutron irradiation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: chen liang, ouyang xiao-ping, zhang zhong-bing, et al. Response of photomultiplier tube to 14 MeV pulse neutron irradiation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应

Response of photomultiplier tube to 14 MeV pulse neutron irradiation

  • 摘要: 采用ING-103型DPF脉冲中子源产生的14.1 MeV脉冲中子对EMI两个不同型号的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B进行了直照实验。针对DPF脉冲中子源产生中子脉冲的同时也会产生X射线脉冲的特点,采取了飞行时间法及吸收衰减法来消除X射线对中子脉冲的干扰。利用中子及X射线速度的差异,将光电倍增管放置在离源较远的测点位置,测得了X射线脉冲和中子脉冲时间上错开的双峰波形。通过在辐射通道内添加5 cm厚的铅吸收体有效地抑制了X射线峰,在离源较近的测量位置测到了干净的脉冲中子波形。根据实测波形,得到的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B中子直照灵敏度分别为10-13与10-15量级,该结果与理论计算结果在量级上一致。
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  • 刊出日期:  2007-02-15

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