留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展

赵文彬 张冠军 严璋

赵文彬, 张冠军, 严璋. 高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(03).
引用本文: 赵文彬, 张冠军, 严璋. 高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(03).
zhao wen-bin, zhang guan-jun, yan zhang. Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: zhao wen-bin, zhang guan-jun, yan zhang. Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

高场强下半导体沿面闪络现象的研究进展

Research progress on flashover phenomena across semiconducting materials under high electric field

  • 摘要: 综述了国内外半导体沿面闪络的研究现状,阐述了电极结构的类型和影响闪络的主要因素;根据自定义的等值电导参数将闪络的发展划分为欧姆电导、局部闪络和贯通闪络3个阶段;通过对表面细丝电流的热过程进行实验和仿真研究,认为表面细丝电流通道的温度可以接近材料熔点,这一结果同时也支持了表面发热导致气体分子解吸附的假设;进一步通过气体解吸附的实验初步确定了存在外部的闪络通道。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2374
  • HTML全文浏览量:  311
  • PDF下载量:  749
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-03-15

目录

    /

    返回文章
    返回