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环槽电极结构的伪火花开关耐压特性

张国伟 曾正中 丛培天

张国伟, 曾正中, 丛培天. 环槽电极结构的伪火花开关耐压特性[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(06).
引用本文: 张国伟, 曾正中, 丛培天. 环槽电极结构的伪火花开关耐压特性[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(06).
zhang guo-wei, zeng zheng-zhong, cong pei-tian. Static breakdown voltage of psudospark switches with annular-slot and multi-hole electrode structures[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.
Citation: zhang guo-wei, zeng zheng-zhong, cong pei-tian. Static breakdown voltage of psudospark switches with annular-slot and multi-hole electrode structures[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19.

环槽电极结构的伪火花开关耐压特性

Static breakdown voltage of psudospark switches with annular-slot and multi-hole electrode structures

  • 摘要: 设计了一种具有环槽电极结构的新型伪火花开关,进行了空气介质下的耐压特性实验,并与传统的同轴多通道结构的伪火花开关耐压特性进行了对比。给出了伪火花开关工作的气压范围(1~100 Pa)和两种伪火花开关的最大耐压。实验结果显示,新型环槽结构伪火花开关最大耐压达到41 V,而传统同轴多通道开关的最大高耐压只有28.4 kV,新设计开关的最大耐压和耐压稳定性都明显高于同轴多通道开关。
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-06-15

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