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1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

袁晓东 李绪平 郑万国 祖小涛 向霞 蒋晓东 尹烨 徐世珍 郭袁俊 田东斌 王毕艺

袁晓东, 李绪平, 郑万国, 等. 1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(03).
引用本文: 袁晓东, 李绪平, 郑万国, 等. 1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(03).
yuan xiao-dong, li xu-ping, zheng wan-guo, et al. Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: yuan xiao-dong, li xu-ping, zheng wan-guo, et al. Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

Ripple damage mechanism of SiO2 film induced by 1.064 μm pulsed laser

  • 摘要: 用1.064 μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟。实验研究表明:膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷。模拟研究表明:缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹。
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  • 刊出日期:  2008-03-15

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