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退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响

程丙勋 吴卫东 何智兵 许华 唐永建 卢铁城

程丙勋, 吴卫东, 何智兵, 等. 退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(01).
引用本文: 程丙勋, 吴卫东, 何智兵, 等. 退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(01).
cheng bing-xun, wu wei-dong, he zhi-bing, et al. Effects of annealing temperature on microstructure and electric properties of Al Films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: cheng bing-xun, wu wei-dong, he zhi-bing, et al. Effects of annealing temperature on microstructure and electric properties of Al Films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响

Effects of annealing temperature on microstructure and electric properties of Al Films

  • 摘要: 采用直流磁控溅射方法成功地制备了Al膜,研究了退火温度对Al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明:不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑,均方根粗糙度小。XRD测试表明:不同温度退火的铝膜均成多晶状态,晶体结构为面心立方,退火温度升高到400 ℃时,Al膜的应力最小达0.78 GPa,薄膜平均晶粒尺寸由18.3 nm增加到25.9 nm;随着退火温度的升高,(200)晶面择优取向特性变好。薄膜紫外-红外反射率随着退火温度的升高而增大。
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-15

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