留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖

张林, 张义门, 张玉明, 等. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(05).
引用本文: 张林, 张义门, 张玉明, 等. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(05).
zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, et al. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, et al. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector

  • 摘要: 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2418
  • HTML全文浏览量:  273
  • PDF下载量:  617
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-15

目录

    /

    返回文章
    返回