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脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟

袁志军 楼祺洪 周军 董景星 魏运荣 王之江

袁志军, 楼祺洪, 周军, 等. 脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(07).
引用本文: 袁志军, 楼祺洪, 周军, 等. 脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(07).
yuan zhi-jun, lou qi-hong, zhou jun, et al. Finite difference simulation of pulsed laser induced crystallization of amorphous silicon thin film[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: yuan zhi-jun, lou qi-hong, zhou jun, et al. Finite difference simulation of pulsed laser induced crystallization of amorphous silicon thin film[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟

Finite difference simulation of pulsed laser induced crystallization of amorphous silicon thin film

  • 摘要: 根据热传导原理,建立了脉冲激光晶化非晶硅薄膜的理论模型。运用有限差分方法研究了不同激光波长、能量密度等因素对薄膜温度变化及相变过程的影响。计算了不同波长激光器对厚度500 nm非晶硅晶化的阈值能量密度。结果发现,准分子晶化的阈值能量密度最低,但是在同样的能量密度下,熔融深度却不及使用更长波长的激光器。计算并分析了升高衬底温度对结晶速度和晶粒尺寸的影响,模拟结果较好地验证了实验结论和规律。
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-07-15

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