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高密度封装二极管激光器阵列

高松信 武德勇 吕文强 雷军 唐淳 刘永智

高松信, 武德勇, 吕文强, 等. 高密度封装二极管激光器阵列[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(09).
引用本文: 高松信, 武德勇, 吕文强, 等. 高密度封装二极管激光器阵列[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(09).
gao song-xin, wu de-yong, lei jun, et al. High density packaging diode laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: gao song-xin, wu de-yong, lei jun, et al. High density packaging diode laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

高密度封装二极管激光器阵列

High density packaging diode laser

  • 摘要: 理论模拟了自制的高效冷却器的散热能力,分析了单元封装结构所需材料的导热特性,获得了高功率二极管激光器在高功率密度、高占空比条件下运行的可行性。改进了高密度封装的关键工艺,热沉金属化层达到了3~5 mm,焊料厚度为4~7 mm,封装间距0.6 mm,采用峰值功率1 kW的背冷式叠阵二极管激光器。实验测试结果表明:封装的二极管激光器叠阵单元的整体封装热阻为0.115 ℃/W,有良好的散热能力;该叠阵模块在电流为100 A、占空比15%时,输出峰值功率为986 W,峰值功率密度达到1.5 kW/cm2,平均每个板条的斜效率为1.25 W/A,激光器阈值电流为20 A左右。
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-09-15

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