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中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进

李锋 江晓 林成生 陈炼 梁福田 金革

李锋, 江晓, 林成生, 等. 中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(02).
引用本文: 李锋, 江晓, 林成生, 等. 中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(02).
li feng, jiang xiao, lin chengsheng, et al. Anti-saturation improvement of front-end electronics for neutron detectors array system[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: li feng, jiang xiao, lin chengsheng, et al. Anti-saturation improvement of front-end electronics for neutron detectors array system[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进

Anti-saturation improvement of front-end electronics for neutron detectors array system

  • 摘要: ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过,信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-02-15

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